[发明专利]一种防止封装芯片上的顶层金属层断裂的方法及测试结构

权利要求书

1.一种防止封装芯片上的顶层金属层断裂的方法，其特征在于：在顶层金属层和铝焊垫之间的连接处引入下层金属层，并在顶层金属层和下层金属层之间的连接处通过金属插塞连接，以及在下层金属层与铝焊垫下的顶层金属层之间的连接处通过金属插塞连接，且所述金属插塞个数大于25个。

2.根据权利要求1所述的一种防止封装芯片上的顶层金属层断裂的方法，其特征在于：所述金属插塞个数的最佳取值为100个。

3.一种防止芯片上的顶层金属断裂的测试结构，其特征在于，至少包括：顶层金属层，下层金属层，铝焊垫和金属插塞；所述顶层金属层和所述下层金属层之间，所述下层金属层和所述铝焊垫之间皆是通过所述金属插塞来连接的，且所述金属插塞个数大于25个。

4.根据权利要求3所述的一种防止封装芯片上的顶层金属层断裂的测试结构，其特征在于：所述金属插塞个数的最佳取值为100个。

5.根据权利要求3所述的一种防止封装芯片上的顶层金属层断裂的测试结构，其特征在于：所述铝焊垫的个数是2个，包括1个电流和电压正接口，1个电流和电压负接口。

6.根据权利要求3所述的一种防止封装芯片上的顶层金属层断裂的测试结构，其特征在于：所述铝焊垫的个数是4个，包括1个电流正接口，1个电流负接口，1个电压负接口，1个电压正接口。