[发明专利]集成电路芯片的钝化层有效
| 申请号： | 200710040534.7 | 申请日： | 2007-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101304023A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 曾建平;董梅;马琳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/00;H01L21/71;H01L21/314 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 芯片 钝化 | ||
1、一种集成电路芯片的钝化层，至少包括第一二氧化硅层和氮化硅层，第一二氧化硅层位于氮化硅层之下，第一二氧化硅层和氮化硅层均对所述钝化层之下的金属层施加压缩应力，其特征在于，所述钝化层还包括对所述钝化层之下的金属层施加拉伸应力的第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层位于氮化硅层和第一二氧化硅层之间。
2、如权利要求1所述的集成电路芯片的钝化层，其特征在于，所述第一二氧化硅层由高密度电浆化学气相沉积制程或等离子增强化学气相沉积制程生成。
3、如权利要求1所述的集成电路芯片的钝化层，其特征在于，所述第二二氧化硅层由亚大气压化学气相沉积制程生成。
4、如权利要求3所述的集成电路芯片的钝化层，其特征在于，所述亚大气压化学气相沉积制程的温度是400摄氏度，压力为200托。
5、如权利要求1或2所述的集成电路芯片的钝化层，其特征在于，所述第二二氧化硅层的厚度与第一二氧化硅层、氮化硅层的厚度的关系满足使所述拉伸应力部分抵消所述收缩应力后，不产生钝化层与金属层、金属层与介质绝缘层之间的剥离脱落现象。
6、一种权利要求1所述集成电路芯片钝化层的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
A、在金属层上沉积对所述金属层施加压缩应力的第一二氧化硅层；
B、在上述第一二氧化硅层上沉积对所述金属层施加拉伸应力的第二二氧化硅层；
C、在上述第二二氧化硅层上沉积对所述金属层施加压缩应力的氮化硅层。
7、如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第一二氧化硅层由高密度电浆化学气相沉积制程或等离子增强化学气相沉积制程生成。
8、如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第二二氧化硅层由亚大气压化学气相沉积制程生成。
9、如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述亚大气压化学气相沉积制程的温度是400摄氏度，压力为200托。
10、如权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述第二二氧化硅层的厚度与第一二氧化硅层、氮化硅层的厚度的关系满足使所述拉伸应力部分抵消所述收缩应力后，不产生钝化层与金属层、金属层与介质绝缘层之间的剥离脱落现象。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
