[发明专利]集成电路内双极晶体管性能的调整方法及其制造方法有效
| 申请号： | 200710040981.2 | 申请日： | 2007-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101312155A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 杨勇胜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8238;H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 双极晶体管 性能 调整 方法 及其 制造 | ||
1、一种集成电路内双极晶体管性能的调整方法，其特征在于，包括步骤：
确定MOS集成电路内寄生的双极晶体管的增益的偏离量；
根据所述增益的偏离量确定所述MOS集成电路内掺杂区最深层的离子注入的工艺参数；
按照所述离子注入的工艺参数对所述掺杂区最深层进行离子注入处理；
其中所述掺杂区至少包括阱区、源极区和漏极区中的一个。
2、如权利要求1所述的调整方法，其特征在于，确定集成电路内掺杂区最深层的离子注入的工艺参数包括步骤：
当所述双极晶体管增益所需的偏离量是负值时，增大所述阱区最深层的离子注入能量和/或剂量；
当所述双极晶体管增益所需的偏离量是正值时，减小所述阱区最深层的离子注入能量和/或剂量。
3、如权利要求1所述的调整方法，其特征在于，确定集成电路内掺杂区最深层的离子注入的工艺参数包括步骤：
当所述双极晶体管增益所需的偏离量是负值时，减小所述源/漏区最深层的离子注入能量和/或剂量；
当所述双极晶体管增益所需的偏离量是正值时，增大所述源/漏区最深层的离子注入能量和/或剂量。
4、如权利要求1所述的调整方法，其特征在于，确定集成电路内掺杂区最深层的离子注入的工艺参数包括步骤：
当所述双极晶体管增益所需的偏离量是负值时，增大所述阱区最深层的离子注入能量和/或剂量，和/或减小所述源/漏区最深层的离子注入能量和/或剂量；
当所述双极晶体管增益所需的偏离量是正值时，减小所述阱区最深层的离子注入能量和/或剂量，和/或增大所述源/漏区最深层的离子注入能量和/或剂量。
5、如权利要求1所述的调整方法，其特征在于：所述源极区包括轻掺杂漏区、所述轻掺杂漏区下层的上层源极区掺杂层、所述上层源极区掺杂层下层的最深层源极区掺杂层。
6、如权利要求1所述的调整方法，其特征在于：所述漏极区包括轻掺杂漏区、所述轻掺杂漏区下层的上层漏极区掺杂层、所述上层漏极区掺杂层下层的最深层漏极区掺杂层。
7、一种集成电路的制造方法，其特征在于，包括步骤：
确定MOS集成电路内寄生的双极晶体管所需达到的增益；
根据所述增益确定所述MOS集成电路内掺杂区最深层的离子注入的工艺参数；
按照所述离子注入的工艺参数进行离子注入处理，形成所述MOS集成电路内的所述掺杂区最深层；
其中所述掺杂区至少包括阱区、源极区和漏极区中的一个。
8、如权利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述源极区包括轻掺杂漏区、所述轻掺杂漏区下层的上层源极区掺杂层、所述上层源极区掺杂层下层的最深层源极区掺杂层。
9、如权利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述漏极区包括轻掺杂漏区、所述轻掺杂漏区下层的上层漏极区掺杂层、所述上层漏极区掺杂层下层的最深层漏极区掺杂层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
