[发明专利]研磨垫的清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域的研磨工艺，具体地说，涉及一种研磨垫的清洗方法。

背景技术

化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)是半导体器件制造的重要工艺。化学机械研磨就是把晶圆放在旋转的研磨垫(pad)上，再加一定的压力，用化学研磨液(slurry)来研磨的。研磨液是由研磨颗粒(abrasive particles)，以及能对被研磨膜起化学反应的化学溶液组成。在半导体器件的整个制造过程中大部分的CMP步骤都是使用带有沟槽的研磨垫进行的，研磨垫上的沟槽是用来使研磨液在研磨垫上达到均匀分布。

但是半导体器件某些表面如铝镜表面(aluminum mirror)不仅要求平整度而且要求光滑度，需要具有较高的反射率。采用带有沟槽的研磨垫在研磨过程中会在晶圆被研磨层表面形成波痕(Murat)。为了提高被研磨表面的光滑度，常常采用无沟槽研磨垫进行CMP步骤。进行CMP步骤后发现无沟槽研磨垫表面形成大量的残留物结块，大部分结块的直径具有2-5微米，而研磨液的研磨颗粒的平均直径为50纳米。为避免对后续工序的影响，需要清洗研磨垫将结块去掉，但是发现采用现有方法很难将上述结块去掉，不管是增加去离子水的清洗力还是增加清洗的时间，都无法很好地改善上述情况。

有鉴于此，需要提供一种新的研磨垫的清洗方法以改善上述情况。

发明内容

本发明解决的技术问题在于提供一种可有效去除研磨垫残留物的清洗方法。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种研磨垫的清洗方法，该清洗方法使用高于常温的去离子水对研磨垫的研磨表面进行清洗，去除研磨表面的残留杂质。

所述研磨垫的研磨表面是平滑的。

使用温度为23-40摄氏度的去离子水进行清洗。

使用温度为40摄氏度的去离子水进行清洗步骤。

与现有技术相比，本发明清洗方法采用热的去离子水对研磨表面进行清洗，有效地去除了结块等等残留物，避免了在后续工序中对晶圆的被研磨表面造成刮伤等缺陷。

附图说明

图1为实施本发明清洗方法的清洗机台的示意图。

具体实施方式

以下对本发明研磨垫的清洗方法的较佳实施例作进一步详细描述。

请参阅图1，本实施例的研磨垫的清洗方法包括：提供研磨垫2，该研磨垫为无沟槽研磨垫2，具有光滑的研磨表面；采用高于常温的去离子水对研磨表面进行清洗，将对晶圆进行机械研磨步骤后残留在研磨表面的结块以及其他残留物去掉。所述常温一般是指20-25摄氏度。进一步地，清洗步骤所使用的去离子水还可以是23-40摄氏度之间的任意温度。另外，当使用的去离子水的温度为40摄氏度时，可以达到最好的去除效果，在显微镜下观察，研磨垫的研磨表面基本上没有结块等残留物。

上述清洗方法是在清洗机台上实施的，清洗机台具有旋转台1，旋转台1上放置上述研磨垫2。该清洗机台还包括预热装置5及控制去离子水流量的阀门4。所述去离子水在预热装置5内加热到预设温度，通过输送管道3，到达喷嘴30处对研磨垫2的研磨表面进行冲洗。上述预设装置5可以是存放去离子水的收容室，也可以仅仅是个加热器，当去离子水流过该加热器时，去离子便被加热到预定温度。

对于研磨表面光滑的研磨垫来说，采用现有的清洗方法很难将残留物去除，但采用本发明的清洗方法通过热去离子水来清洗的方法可有效去除结块等残留物，避免了在后续工序中晶圆的被研磨表面的造成刮伤等缺陷。使得采用具有平滑表面的研磨垫对晶圆反射率要求较高的表面进行研磨成为可能。本发明的清洗方法不限于清洗研磨表面光滑的研磨垫，若研磨垫表面沟槽较少，采用现有方法难以取得较好清洗效果时，也可以采用本发明的清洗方法清洗。