[发明专利]掩膜图案校正方法有效
| 申请号： | 200710044546.7 | 申请日： | 2007-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN101359169A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 刘庆炜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图案 校正 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种掩膜图案的校正方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一掩膜图案，所述掩膜图案由两个相同宽度的区域和中间区域组成；
对掩膜图案进行光学临近修正形成修正图案；
计算光学临近修正后的修正图案边缘的焦深；
根据计算的焦深值，对散焦中心范围进行放大，取图案边缘中最大的散焦中心或最大的焦深值，从而对图案边缘放大重新定义形成最终的修正图案。
2.如权利要求1所述的掩膜图案的校正方法，其特征在于：所述的掩膜图案由两个相同宽度的区域和中间区域组成。
3.如权利要求1所述的掩膜图案的校正方法，其特征在于：根据所述的修正图案边缘的焦深计算值，取其中最大的焦深计算值对图案边缘放大重新定义。
4.如权利要求1所述的掩膜图案的校正方法，其特征在于：所所述的最终的修正图案由两个相同宽度的区域和中间区域组成，且所述最终的修正图案关于所述中间区域对称。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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