[发明专利]掩膜图案校正方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种掩膜的图案校正方法，特别涉及一种对图案边缘计算其焦深。

背景技术

随着超大规膜集成电路制造进入深亚微米时代，对光刻中掩膜图案的尺寸要求进一步缩小。当光线通过掩膜对抗蚀剂进行曝光时、掩膜上的图案被转移而形成抗蚀图案。如果缩小掩膜图案的尺寸，则掩膜图案的尺寸会接近形成抗蚀图案的光线的波长，从而产生光学临近效应(Optical Proximity Effect，OPE)，掩膜上的图案就会在转移时变形，而且掩膜图案上相邻图案区域的光刻质量受光学临近效应的影响越来越大。

一般光学临近效应的消除方法采用光学临近修正(Optical ProximityCorrections，OPC)。如图1A、1B所示，两个掩膜图案1、2为长条状，根据基于膜型的光学临近修正方法，在长条状图案的两侧加上两辅助图案3、4以形成修正图案。形成修正图案后临界尺寸(critical dimension，CD)被增大，所以扩大了相邻图案的焦深(depth of focus，DOF)。但是，上述方法容易使相邻图案之间产生一半孤立空间5，该半孤立空间5会限制半导体制程范围(Process Window)。

发明内容

本发明的目的在于提供一种掩膜图案的校正方法，通过该方法消除光学临近效应时产生的半孤立空间。

为了达到所述的目的，本发明提供了一种掩膜图案的校正方法，其中，包括以下步骤：提供一掩膜图案；对掩膜图案进行光学临近修正形成修正图案；计算光学临近修正后的修正图案边缘的焦深；根据修正图案边缘的焦深对修正图案重新定义形成最终的修正图案。

在上述的掩膜图案的校正方法中，所述的掩膜图案由两个相同宽度的区域和中间区域组成。

在上述的掩膜图案的校正方法中，据所述的修正图案边缘的焦深计算值，取其中最大的焦深计算值对图案边缘放大重新定义。

在上述的掩膜图案的校正方法中，所述的最终的修正图案关于中间区域对称。

本发明由于采用了上述的技术方案，使之与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果：本发明的掩膜图案校正方法可减少光学临近修正时产生的非必要修正图案。

附图说明

本发明的掩膜图案校正方法由以下的实施例及附图给出。

图1A至1B为现有技术中掩膜图案的校正方法示意图；

图2A至2C为本发明掩膜图案校的校正方法示意图。

具体实施方式

以下将对本发明的掩膜图案的校正方法作进一步的详细描述。

图2A至2C为本发明掩膜图案的校正方法示意图。如图2A所示，为一掩膜图案6，该掩膜图案6为宽度相同的两区域7、8和中间区域9组成。本发明的掩膜图案校正方法先对掩膜图案6上的各个区域7、8、9进行光学临近修正，如图2B所示，得出辅助图案10a、10b、10c、10d、11a、11b作为修正图案，然后基于光学临近修正数据库对图案边缘计算其焦深(depth of focus，DOF)，因为边缘位置错误与散焦中心(defocus center)同步变化，根据计算的焦深值，对散焦中心范围进行放大，一般取图案边缘中最大的散焦中心，也就是最大的焦深值，从而对图案边缘放大重新定义。如图2C所示，最后形成的修正图案为12a、12b，且修正图案12a、12b关于中间区域9对称分布。通过本发明掩膜图案校正方法，可减少光学临近修正时产生的非必要修正图案。

以上介绍的仅仅是基于本发明的较佳实施例，并不能以此来限定本发明的范围。任何对本发明的方法作本技术领域内熟知的步骤的替换、组合、分立， 以及对本发明实施步骤作本技术领域内熟知的等同改变或替换均不超出本发明的揭露以及保护范围。