[发明专利]一种光刻胶清洗剂

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺中的一种清洗剂，具体的涉及一种光刻胶清洗剂。

背景技术

在通常的半导体制造工艺中，通过在二氧化硅、Cu(铜)等金属以及低k材料等表面上形成光刻胶的掩膜，曝光后利用湿法或干法刻蚀进行图形转移。在晶圆微球植入工艺(bumping technology)中，也需要光阻材料(光刻胶)形成掩膜，该掩膜在微球成功植入后同样需要去除，但由于该光刻胶较厚，完全去除常较为困难。改善去除效果较为常用的方法是采用延长浸泡时间、提高浸泡温度和采用更富有攻击性的溶液，但这常会造成晶片基材的腐蚀和微球的腐蚀，从而导致晶片良率的显著降低。

专利文献WO2006/056298A1利用由四甲基氢氧化铵(TMAH)、二甲基亚砜(DMSO)，乙二醇(EG)和水组成碱性清洗剂，用于清洗50～100微米厚的光刻胶。该清洗剂对金属铜基本无腐蚀。

专利文献US2204/0074519A1利用由苄基三甲基氢氧化铵(BTMAH)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、乙二醇(EG)、腐蚀抑制剂、表面活性剂和稳定剂组成碱性清洗剂，用于清洗较厚的负性光刻胶。

专利文献US6040117利用由TMAH、二甲基亚砜(DMSO)、1，3’-二甲基-2-咪唑烷酮(DMI)和水等组成碱性清洗剂，将晶片浸入该清洗剂中，于50～100℃下除去金属和电介质基材上的20μm以上的厚膜光刻胶。

专利文献US5962197利用丙二醇醚、吡咯烷酮、KOH、表面活性剂和微量的水组成碱性清洗剂用于清洗光刻胶。

专利文献US5529887利用二乙二醇单烷基醚、乙二醇单烷基醚、碱金属氢氧化物、水溶性氟化物和水组成碱性清洗剂，用于清洗光刻胶。

然而，上述清洗液有的清洗能力不强，有的对基材铜的腐蚀速率较高；因此开发清洗能力更强、铜的腐蚀速率更低的清洗液显得尤为重要。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是为了克服现有技术的光刻胶清洗剂或者清洗能力不足，或者对晶片基材腐蚀性较强的问题，而提供一种清洗能力强，尤其能有效去除厚膜光刻胶，对晶片基材具有较低的腐蚀性的光刻胶清洗剂。

本发明的光刻胶清洗剂含有：氢氧化钾、二甲基亚砜、季戊四醇和醇胺。

其中，所述的氢氧化钾的含量较佳的为质量百分比0.1～10％，更佳的为质量百分比0.1～3％；所述的二甲基亚砜的含量较佳的为质量百分比20～98.8％，质量百分比50～98.4％；所述的季戊四醇的含量较佳的为质量百分比1～40％，更佳的为质量百分比1～30％；所述的醇胺的含量较佳的为质量百分比0.1～50％，更佳的为质量百分比0.5～30％。

其中，所述的醇胺较佳的为单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、正丙醇胺、

异丙醇胺、2-(二乙氨基)乙醇、乙基二乙醇胺和二甘醇胺中的一种或多种。

本发明的所述的光刻胶清洗剂还可进一步含有缓蚀剂。所述的缓蚀剂的含量较佳的为小于或等于质量百分比10％，更佳的为小于或等于质量百分比3％。所述的缓蚀剂较佳的选自酚类、羧酸类、羧酸酯类、2-巰基苯并噻唑类、苯并三氮唑类、酸酐类、膦酸和膦酸酯类缓蚀剂中的一种或多种。所述的酚类较佳的为苯酚、1，2-二羟基苯酚、对羟基苯酚和连苯三酚中的一种或多种；羧酸类较佳的为苯甲酸和/或对氨基苯甲酸；羧酸酯类较佳的为对氨基苯甲酸甲酯、邻苯二甲酸、邻苯二甲酸甲酯、没食子酸和没食子酸丙酯中的一种或多种；苯并三氮唑类较佳的为苯并三氮唑钾盐；酸酐类较佳的为乙酸酐、己酸酐、马来酸酐和聚马来酸酐中的一种或多种；磷酸类较佳的为1，3-(羟乙基)-2，4，6-三膦酸。其中，最佳的为苯并三氮唑钾盐。

将上述各成分简单混合均匀，即可制得本发明的光刻胶清洗液。本发明的光刻胶清洗液可按下述方法使用：将含有光刻胶的半导体晶片浸入本发明的光刻胶清洗剂中，在室温至95℃下浸泡合适的时间后，，取出用去离子水洗涤后，再用高纯氮气吹干即可。

本发明所用试剂及原料均市售可得。