[发明专利]可调整栅极氧化层厚度的半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 200710044802.2 | 申请日： | 2007-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN101364535A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 陈泰江;王心 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/316;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可调整 栅极 氧化 厚度 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种可调整栅极氧化层厚度的半导体器件制造方法，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底表面生长第一氧化层；
在所述第一氧化层上形成图案化光刻胶，以暴露对应栅极位置的第 一氧化层；
去除该暴露对应栅极位置的第一氧化层，所述光刻胶和剩余的第一 氧化层对应源漏极的位置；
将带有光刻胶的所述衬底浸泡在去离子水中生长第二氧化层，其 中，所述第二氧化层的厚度均匀，并且大于或者小于所述第一氧化层的 厚度；
在所述第一氧化层和第二氧化层表面形成多晶硅层；
刻蚀所述多晶硅层形成栅极。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法还包括对 所述去离子水进行加热的步骤。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一氧化层利 用炉管热氧化法生长。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述对应栅极位置 的第一氧化层利用氢氟酸去除。
5.一种可调整栅极氧化层厚度的半导体器件制造方法，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底表面生长第一氧化层；
在所述第一氧化层上形成图案化光刻胶，以暴露对应栅极位置的第 一氧化层；
去除该暴露对应栅极位置的第一氧化层，所述光刻胶和剩余的第一 氧化层对应源漏极的位置；
将带有光刻胶的所述衬底浸泡在去离子水中生长第二氧化层，其 中，所述第二氧化层的厚度均匀，并且大于或者小于所述第一氧化层的 厚度。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述方法还包括对 所述去离子水进行加热的步骤。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述第一氧化层利 用炉管热氧化法生长。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述对应栅极位置 的第一氧化层利用氢氟酸去除。
9.一种可调整栅极氧化层厚度的半导体器件制造方法，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底表面生长第一氧化层；
在所述第一氧化层上形成图案化光刻胶，以暴露对应栅极位置的第 一氧化层；
去除该暴露对应栅极位置的第一氧化层，所述光刻胶和剩余的第一 氧化层对应源漏极的位置；
将带有光刻胶的所述衬底浸泡在去离子水中生长第二氧化层，其 中，所述第二氧化层的厚度均匀，并且大于或者小于所述第一氧化层的 厚度；
在所述第一氧化层和第二氧化层表面形成第三氧化层；所述第三氧 化层利用炉管热氧化法或化学气相淀积法形成；
在所述第三氧化层表面形成多晶硅层；
刻蚀所述多晶硅层形成栅极。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：所述方法还包括对 所述去离子水进行加热的步骤。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：所述第一氧化层利 用炉管热氧化法生长。
12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于：所述对应栅极位置 的第一氧化层利用氢氟酸去除。
13.一种可调整栅极氧化层厚度的半导体器件制造方法，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底表面生长第一氧化层；
在所述第一氧化层上形成图案化光刻胶，以暴露对应栅极位置的第 一氧化层；
去除该暴露对应栅极位置的第一氧化层，所述光刻胶和剩余的第一 氧化层对应源漏极的位置；
将带有光刻胶的所述衬底浸泡在去离子水中生长第二氧化层，其 中，所述第二氧化层的厚度均匀，并且大于或者小于所述第一氧化层的 厚度；
在所述第一氧化层和第二氧化层表面形成第三氧化层；所述第三氧 化层利用炉管热氧化法或化学气相淀积法形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
