[发明专利]脉冲信号的逼近方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种信号波形的逼近方法，具体地说，涉及一种用于光刻装置对准系统中的脉冲信号的逼近方法。

背景技术

在工业装置中，由于高精度和高产能的需要，分布着大量高速实时信号采样、数据采集、信号实时处理系统。其中信号实时处理系统需要采用有效的信号处理模型和方法以达到高精密、高效率的要求。有该需求的装置包括：集成电路制造光刻装置、液晶面板光刻装置、光掩膜刻印装置、MEMS(微电子机械系统)/MOEMS(微光机电系统)光刻装置、先进封装光刻装置、印刷电路板光刻装置、印刷电路板加工装置等。

在现有技术中，如果上述装置中光刻对准系统使用的光源是DUV(深紫外)光源，则该辐射源以波长为248nm、193nm的准分子激光光源为主，也有的使用157nm的准分子激光光源。此外，还有使用EUV(极紫外)脉冲辐射源和X射线脉冲辐射源的对准系统。

当对准系统使用的光源是脉冲辐射源时，对准系统中的对准方法对于掩膜对准的重复精度有较大影响。通常，在该对准过程中，需要用探测到的脉冲辐射信号振幅值代替脉冲辐射波形的能量值，即用脉冲辐射强度的最大值代替其能量值。此时，需要将脉冲辐射探测信号扩展采样值经过自适应滤波去噪后的值用于逼近脉冲模型，得到每个脉冲辐射的能量值。

由于脉冲辐射波形在探测转换中的不对称性，在中国专利申请第200610024669.X号中采用的是能量对称的高次多项式逼近模型来逼近脉冲信号的。而在实际探测工程方法运用时，存在因为能量不对称性的因素而导致的固有同步误差，该误差将会一直传递至对准位置的确定中，且该同步误差引起的对准位置误差又是非线性的，不具有确定性，从而降低了重复精度。

因此，需要提供一种能量不对称的脉冲信号逼近方法，使得该方法能够很好地逼近实际工程中探测到的脉冲辐射波形。

发明内容

本发明的目的在于提供一种信号波形的逼近方法，具体地说，涉及一种用于光刻装置对准系统中的脉冲信号的逼近方法。

为实现上述目的，本发明提供一种脉冲信号的逼近方法，用于逼近实际工程中探测到的脉冲辐射探测信号，该方法以脉冲衰减指数系数c为参数得到脉冲延续时间t与脉冲辐射信号逼近值f(t)的关系，所述关系由式f(t)＝p(t)e^ct+h(t)确定。其中，脉冲辐射探测信号f(t)＞0，p(t)为关于脉冲延续时间t的多项式，h(t)为关于脉冲延续时间t的直流漂移分量。

本发明还提供一种使用上述脉冲信号的逼近方法的光刻装置对准系统，该系统包括脉冲辐射发生器、掩膜图形照射窗口及其控制板、掩膜、对准掩膜图形、掩膜台、掩膜台位置探测器、投影系统、被光刻工件、工件台、工件台基准板对准图形、脉冲辐射传感器以及工件台位置探测器，其中，该系统同步对掩膜台与工件台的位置数据进行采样，并对脉冲辐射探测信号进行扩展采样，对脉冲辐射探测信号扩展采样得到的采样值进行自适应滤波去噪处理，将该自适应滤波去噪后的值用于逼近脉冲逼近关系，得到每个脉冲辐射的能量值，用该每个脉冲辐射能量值及其对应的对准掩膜图形与工件台图形间的相对位置逼近辐射信息和位置间的关系，用所得到关系得到对准掩膜图形相对工件台图形之间的位置关系，并将该位置关系用于校准对准掩膜图形坐标系坐标相对工件台坐标系坐标之间的关系。

与现有技术相比，本发明的技术方案采用了较现有技术更佳的非对称逼近方法，其精度较高，且稳定性较强。

附图说明

通过以下对本发明实施例结合其附图的描述，可以进一步理解其发明的目的、具体结构特征和优点。其中，附图为：

图1为使用本发明脉冲信号逼近方法的光刻装置对准系统的结构示意图。

图2为实际扩展采样得到的脉冲辐射探测信号的波形。

图3为使用本发明脉冲信号逼近方法得到的模型的波形。

具体实施方式

请参阅图1，为使用本发明脉冲信号逼近方法的光刻装置对准系统的示意图。该对准系统包括脉冲辐射发生器1、掩膜图形照射窗口2、控制板3、掩膜4、对准掩膜图形5、掩膜台6、掩膜台位置探测器7、投影系统8、被光刻工件9、工件台10、工件台基准板对准图形11、脉冲辐射传感器12以及工件台位置探测器13。