[发明专利]一种光刻胶清洗剂

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺中中的一种清洗剂，具体的涉及一种光刻胶清洗剂。 

背景技术

本发明涉及一种光刻胶清洗剂。在通常的半导体制造工艺中，通过在二氧化硅、Cu(铜)等金属以及低k材料等表面上形成光刻胶的掩模，曝光后利用湿法或干法刻蚀进行图形转移。低温快速的清洗工艺是半导体晶片制造工艺发展的重要方向。20μm以上厚度的负性光刻胶正逐渐应用于半导体晶片制造工艺中，而目前工业上大部分的光刻胶清洗剂对正性光刻胶的清洗能力较好，但不能彻底去除晶片上经曝光和刻蚀后的具有交联网状结构的负性光刻胶。另外，在半导体晶片进行光刻胶的化学清洗过程中，清洗剂常会造成晶片图案和基材的腐蚀。特别是在利用化学清洗剂除去光刻胶和刻蚀残余物的过程中，金属(尤其是铝和铜等较活泼金属)腐蚀是较为普遍而且非常严重的问题，往往导致晶片良率的显著降低。 

目前，光刻胶清洗剂主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成，通过将半导体晶片浸入清洗剂中或者利用清洗剂冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶。 

专利文献WO03104901利用四甲基氢氧化铵(TMAH)、环丁砜(SFL)、水 和反-1，2-环己烷二胺四乙酸(CyDTA)等组成碱性清洗剂，将晶片浸入该清洗剂中，于50～70℃下浸没20～30min，除去金属和电介质基材上的光刻胶。但该清洗剂对半导体晶片基材的腐蚀略高，且不能完全去除半导体晶片的光刻胶，清洗能力不足。 

专利文献WO04059700利用四甲基氢氧化铵(TMAH)、N-甲基吗啡啉-N-氧化物(MO)、水和2-巯基苯并咪唑(MBI)等组成碱性清洗剂，将晶片浸入该清洗剂中，于70℃下浸没15～60min，除去金属和电介质基材上的光刻胶。但该清洗剂的使用温度较高，对半导体晶片基材的腐蚀略高，且清洗速度相对较慢，不利于提高半导体晶片的清洗效率。 

专利文献JP1998239865利用TMAH、二甲基亚砜(DMSO)、1，3’-二甲基-2-咪唑烷酮(DMI)和水等组成碱性清洗剂，将晶片浸入该清洗剂中，于50～100℃下除去金属和电介质基材上的20μm以上的厚膜光刻胶。但该清洗剂的使用温度较高，对半导体晶片基材的腐蚀略高。 

专利文献JP2001215736利用TMAH、二甲基亚砜(DMSO)、乙二醇(EG)和水等组成碱性清洗剂，将晶片浸入该清洗剂中，于50～70℃下除去金属和电介质基材上的光刻胶。但该清洗剂的使用温度较高，对半导体晶片基材的腐蚀略高。 

专利文献JP200493678利用TMAH、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、水或甲醇等组成碱性清洗剂，将晶片浸入该清洗剂中，于25～85℃下除去金属和电介质基材上的光刻胶。但该清洗剂随使用温度的升高对半导体晶片基材的腐蚀明显增强。 

以上现有技术的清洗剂或者清洗能力不足，或者对半导体晶片基材的腐蚀较严重。因此，亟待需求一种清洗能力强且腐蚀性较低的清洗剂。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是为了克服现有技术的光刻胶清洗剂或者清洗能力不足，或者对半导体晶片基材的腐蚀较严重的缺陷，提供一种清洗能力强，且腐蚀性较低的清洗剂。 

本发明的光刻胶清洗剂含有：季铵氢氧化物、聚羧酸类缓蚀剂、芳基醇和/或其衍生物、二甲基亚砜和水。 

其中，所述的季铵氢氧化物的含量较佳的为质量百分比0.1～10％，更佳的为质量百分比0.5～5％；所述的芳基醇和/或其衍生物的含量较佳的为质量百分比1～50％，更佳的为质量百分比5～30％；所述的聚羧酸类缓蚀剂的含量较佳的为质量百分比0.01～5％，更佳的为质量百分比0.05～2.5％；所述的水的含量较佳的为质量百分比0.1～40％，更佳的为质量百分比0.5～20％；所述的二甲基亚砜的含量较佳的为质量百分比1～98.79％，更佳的为质量百分比50～90％。 

其中，所述的季铵氢氧化物较佳的选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵和苄基三甲基氢氧化铵中的一种或多种，更佳的选自四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵和四丁基氢氧化铵中的一种或多种，最佳的为四甲基氢氧化铵。