[发明专利]常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法

权利要求书

1.常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法，包括下列步骤：

(1)沉积基片置于立体梳状电极之下，用机械泵将反应室中的空气除去；

(2)通过进气口的莲蓬头通入混合气体，调节混合气体流速，控制沉积室气压为常压附近；

(3)反应室内的气压稳定后，基板上加脉冲偏压，调节等离子体发生器频率和功率；

(4)放电反应后，取出基片，获得纳米硅基多孔发光薄膜。

2.根据权利要求1所述的常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法，其特征在于：所述的沉积基片是指硅片、玻璃片，石英片、聚酯薄膜片、聚丙烯薄膜片、聚酰亚胺薄膜、织物中的一种。

3.根据权利要求1所述的常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法，其特征在于：所述的立体梳状电极是指1-5层平行放置、正负交错、上下交错的立体梳状电极，极间、层间距离为1-3mm，电极是直径0.1-3mm的钨丝或不锈钢，表面套上介质套管，包括石英管、陶瓷管、聚四氟乙烯管、硅氟橡胶管。

4.根据权利要求1所述的常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法，其特征在于：所述的混合气体包括主要气体、次要气体、载气和氢气，主要气体是指含硅的气体，次要气体是含碳或氮气体，包括CO₂及乙炔、甲烷等烷、烯、炔类单体或氮气、氨、笑气等单体，载气是惰性气体，包括氩气、氦气等，主、次单体、载气、氢气比为：1-5∶0-3∶89-98∶1-3。

5.根据权利要求1所述的常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法，其特征在于：所述的混合气体流速是140sccm(每分钟标准立方升)。

6.根据权利要求1所述的常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法，其特征在于：所述的沉积室气压为常压附近是指0.5-2×10⁵Pa。

7.根据权利要求1所述的常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法，其特征在于：所述的脉冲偏压的范围为-1000V-500V，占空比0.10-0.90。

8.根据权利要求1所述的常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法，其特征在于：所述的等离子体发生器频率为60-30×10⁴Hz，功率为1W-1000W。

9.根据权利要求1所述的常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法，其特征在于：所述的放电时间的范围为5-20分钟。

10.根据权利要求1所述的常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法，其特征在于：所述的薄膜的荧光发光范围为300-1000nm。