[发明专利]涂底的方法及光刻胶的涂布方法有效
| 申请号： | 200710046207.2 | 申请日： | 2007-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101393840A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 杨光宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/027;G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 方法 光刻 | ||
1.一种涂底的方法，其特征在于，包括：
将半导体晶片置于密闭的腔室中；
降低所述腔室中的压力，使所述腔室中的压力小于该腔室外部的压力；
对所述半导体晶片进行脱水烘烤；
继续对所述半导体晶片执行烘烤工艺，向所述形成负压的腔室中通入气态的涂底材料，以使所述涂底材料快速进入所述腔室，同时与所述半导体晶片表面接触的涂底材料与所述半导体晶片表面在高温下反应，在所述半导体晶片表面形成薄的涂底膜层；
多次降低所述腔室中的压力，并向所述腔室中通入气态的涂底材料；
向所述腔室中通入惰性气体或氮气，并将残余的涂底材料抽出。
2.如权利要求1所述的涂底的方法，其特征在于：根据通入的气态涂底材料的流量的大小决定通入的时间。
3.如权利要求1所述的涂底的方法，其特征在于：在向所述腔室中通入惰性气体或氮气之前，向所述腔室中通入气态的涂底材料之后，
继续对所述半导体晶片执行烘烤工艺。
4.如权利要求1至3任一权利要求所述的涂底的方法，其特征在于：所述惰性气体包括氩气或氦气。
5.如权利要求1至3任一权利要求所述的涂底的方法，其特征在于：所述涂底材料为HMDS。
6.如权利要求5所述的涂底的方法，其特征在于：降低所述腔室中的压力到100hPa至300hPa。
7.如权利要求5所述的涂底的方法，其特征在于：所述脱水烘烤工艺中的烘烤温度为100℃至130℃，时间为10s至30s。
8.一种光刻胶的涂布方法，其特征在于，包括：
提供半导体晶片；
将所述半导体晶片置于密闭的腔室中；
降低所述腔室中的压力，使所述腔室中的压力小于该腔室外部的压力；
对所述半导体晶片进行脱水烘烤；
继续对所述半导体晶片执行烘烤工艺，向所述形成负压的腔室中通入气态的涂底材料，以使所述涂底材料快速进入所述腔室，同时与所述半导体晶片表面接触的涂底材料与所述半导体晶片表面在高温下反应，在所述半导体晶片表面形成薄的涂底膜层；
多次降低所述腔室中的压力，并向所述腔室中通入气态的涂底材料；
向所述腔室中通入惰性气体或氮气，并将残余的涂底材料抽出；
打开所述腔室，将所述半导体晶片置于冷却装置中冷却；
将冷却的半导体晶片置于涂布装置中；在所述半导体晶片表面涂布光刻胶层。
9.如权利要求8所述的光刻胶的涂布方法，其特征在于：在向所述腔室中通入惰性气体或氮气之前，向所述腔室中通入气态的涂底材料之后，
继续对所述半导体晶片执行烘烤工艺。
10.如权利要求8所述的光刻胶的涂布方法，其特征在于：所述惰性气体包括氩气或氦气。
11.如权利要求8至10任一权利要求所述光刻胶的涂布方法，其特征在于：所述涂底材料为HMDS。
12.如权利要求11所述的光刻胶的涂布方法，其特征在于：所述脱水烘烤工艺中的烘烤温度为100℃至130℃，时间为10至30s。
13.如权利要求8所述的光刻胶的涂布方法，其特征在于：在向所述半导体晶片中央喷出光刻胶之前，先向所述半导体晶片表面喷出表面活性剂，并旋转所述半导体晶片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
