[发明专利]涂底的方法及光刻胶的涂布方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及光刻工艺中的涂底的(Priming)方法及光刻胶的涂布方法。

背景技术

在半导体集成电路的制造工艺中，需要通过光刻工艺将掩模板的版图图案转移到半导体晶片的光刻胶上，定义出刻蚀或离子注入的区域。因而，光刻工艺的好坏会直接影响后续的刻蚀或离子注入工艺。

光刻工艺首先在半导体晶片上形成光刻胶层；将该光刻胶层进行烘烤(Bake)后置于曝光设备中，通过曝光工艺对所述光刻胶层进行曝光，将掩模板上的图案转移到光刻胶层中；接着对曝光后的光刻胶层进行曝光后烘烤(Post Exposure Bake，PEB)，并通过显影工艺进行显影，在光刻胶层中形成光刻图形。

公开号为CN 1904739 A的中国专利申请文件公开了一种光刻图案的制造方法，其公开的申请文件中的制造方法包括以下步骤：在半导体晶片上形成牺牲氧化物层；在该牺牲氧化物层上施加六甲基硅氮烷(HMDS)；在该HMDS上施加光致抗蚀剂(即光刻胶)；对该光致抗蚀剂进行软烘烤；将光致抗蚀剂曝光；对光致抗蚀剂进行曝光后烘烤；对所曝光的光致抗蚀剂进行显影以形成光致抗蚀剂图案；以及对光致抗蚀剂图案进行硬烘烤。

其中，HMDS用于改善半导体晶片表面的亲水疏水状态，提高光刻胶层在半导体晶片表面的附着力。涂底即是在半导体晶片表面形成涂底膜层，提高光刻胶与半导体晶片表面附着力的工艺。

现有的一种涂布HMDS的方法如下：

将半导体晶片置于密闭的HMDS涂布腔室中；

对所述半导体晶片烘烤，去除表面的水分；

向所述涂布腔室中通入气态的HMDS，HMDS与半导体晶片表面接触后附着在半导体晶片的表面；

持续向所述腔室中通入HMDS，例如30至60s，在半导体晶片表面涂布一HMDS层。

然而，所述的涂布HMDS的工艺时间较长，浪费时间，降低了产量(throughput)。

发明内容

本发明提供一种涂底的方法及光刻胶的涂布方法，本发明的涂底的方法时间较短，可提高产量。

本发明提供的一种涂底的方法，包括：

将半导体晶片置于密闭的腔室中；

降低所述腔室中的压力，使所述腔室中的压力小于该腔室外部的压力；

对所述半导体晶片进行脱水烘烤；

继续对所述半导体晶片执行烘烤工艺，向所述腔室中通入气态的涂底材料，在所述半导体晶片表面形成涂底膜层；

向所述腔室中通入惰性气体或氮气，并将残余的涂底材料抽出。

可选的，根据通入的气态涂底材料的流量的大小决定通入的时间。

可选的，在向所述腔室中通入惰性气体或氮气之前，向所述腔室中通入气态的涂底材料之后，

继续对所述半导体晶片执行烘烤工艺。

可选的，进一步包括：在向所述腔室中通入惰性气体之前，向所述腔室中通入气态的涂底材料之后，

降低所述腔室中的压力，并再次向所述腔室中通入气态的涂底材料。

可选的，进一步包括：在向所述腔室中通入惰性气体之前，

多次降低所述腔室中的压力，并向所述腔室中通入气态的涂底材料。

可选的，所述惰性气体包括氩气或氦气。

可选的，所述涂底材料为HMDS。

可选的，降低所述腔室中的压力到100hPa至300hPa。

可选的，所述脱水烘烤工艺中的烘烤温度为100℃至130℃，时间为10至30s。

本发明还提供一种光刻胶的涂布方法，包括：

提供半导体晶片；

将所述半导体晶片置于密闭的腔室中；

降低所述腔室中的压力，使所述腔室中的压力小于该腔室外部的压力；

对所述半导体晶片进行脱水烘烤；

继续对所述半导体晶片执行烘烤工艺，向所述腔室中通入气态的涂底材料，在所述半导体晶片表面形成涂底膜层；

向所述腔室中通入惰性气体或氮气，并将残余的涂底材料抽出；

打开所述腔室，将所述半导体晶片置于冷却装置中冷却；

将冷却的半导体晶片置于涂布装置中；在所述半导体晶片表面涂布光刻胶层。

可选的，在向所述腔室中通入惰性气体或氮气之前，向所述腔室中通入气态的涂底材料之后，

继续对所述半导体晶片执行烘烤工艺。

可选的，进一步包括：在向所述腔室中通入惰性气体之前，向所述腔室中通入气态的涂底材料之后，

降低所述腔室中的压力，并再次向所述腔室中通入气态的涂底材料。