[发明专利]液晶显示装置阵列基板的制造方法无效
申请号: | 200710047578.2 | 申请日: | 2007-10-30 |
公开(公告)号: | CN101424836A | 公开(公告)日: | 2009-05-06 |
发明(设计)人: | 常程 | 申请(专利权)人: | 上海广电NEC液晶显示器有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G03F7/00;H01L27/12;H01L21/027;H01L21/00 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 薛 琦 |
地址: | 201108上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 阵列 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示装置阵列基板的制造方法,特别涉及减少非晶硅延展问题的阵列基板的制造方法。
背景技术
目前薄膜晶体管液晶显示装置(TFT-LCD)制造业中,采用4层掩模板曝光的生产线上,采用一块漏极(Drain)和硅岛(Island)掩模板代替5层掩模板曝光技术中的漏极层与硅岛层掩模板,对基板进行曝光同时形成硅岛和晶体管源(Source)、漏极图案。该曝光技术包括以下顺序步骤:第一次湿刻(D1WetEtch,D1WE)——硅岛干刻(Island-Dry Etch,I-DE)——光刻胶干刻(Photoresist-Dry Etch,PR-DE)——第二次湿刻(D2WE)——沟道干刻(Chanel-Dry Etch,CH-DE),采用了该曝光方式的工艺技术在漏极层金属线下方的非晶硅(a-Si)层无法被刻除,而且有延展性问题,导致漏极与取向剂(PI)或者栅极(Gate)层间的干扰电容增大;而且由于硅岛干刻(Island-Dry Etch,I-DE)工序后还要进行PR-DE的工艺方式,会使土手现象(fence现象,影响TFT特性的一种现象)问题更加严重化。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种液晶显示装置阵列基板的制造方法,通过该制造方法减少4层掩模板工艺中产生的栅极扫描线下非晶硅延展问题。
为达到上述目的,本发明提供一种液晶显示装置阵列基板的制造方法,该阵列基板包括一玻璃基板,形成于玻璃基板上的栅电极,覆盖于栅电极上的绝缘层,于绝缘层上沉积一层钝化层,一栅极扫描线形成于绝缘层中间区域上,光刻胶涂布于栅极扫描线上,其包括以下步骤:首先,对栅极扫描线进行第一次湿刻;接着对钝化层进行硅岛/光刻胶干刻;接着对栅极扫描线进行第二次湿刻;最后对钝化层进行沟道干刻。
本发明由于采用了上述的技术方案,使之与现有技术相比,具有以下的优点和积极效果:通过本发明液晶显示装置阵列基板的制造方法可以减少4层掩模板工艺中产生的栅极扫描线下非晶硅延展问题,还可以有效降低薄膜晶体管沟道表面Fence现象问题。
附图说明
图1为本发明的液晶显示装置阵列基板进行第一次湿刻后的结构示意图;
图2为在图1的基础上进行硅岛/光刻胶干刻后的阵列基板结构示意图;
图3为在图2的基础上进行第二次湿刻后的阵列基板结构示意图;
图4为在图3的基础上进行沟道干刻后的阵列基板结构示意图。
具体实施方式
以下将结合附图对本发明的液晶显示装置阵列基板的制造方法作进一步的详细描述。
进行第一次湿刻(D1 Wet Etch,D1WE)后的液晶显示装置阵列基板如图1所示,该液晶显示装置阵列基板包括:一玻璃基板5,形成于玻璃基板5上的栅电极6,该栅电极6的材料使用金属铝(Al),覆盖于栅电极6上的绝缘层4,该绝缘层4由氮化硅组成,于绝缘层4上沉积一层钝化层3,钝化层3材料是非晶硅(A-Si),一栅极扫描线2形成于绝缘层4中间区域上,栅极扫描线2使用铬(Cr)金属,光刻胶1涂布于栅极扫描线2上;第一次湿刻后然后进行硅岛/光刻胶干刻(Island/Photoresist-Dry Etch,I/PR-DE),形成的结构如图2所示,部分光刻胶1和钝化层3被蚀刻掉,其中硅岛/光刻胶干刻为一步式蚀刻方式;硅岛/光刻胶干刻后进行第二次湿刻,形成的结构如图3所示,栅极扫描线2部分被蚀刻掉;第二次湿刻后进行沟道干刻(Chanel-Dry Etch,CH-DE),蚀刻掉栅极扫描线2下的部分钝化层3,也就是蚀刻掉部分非晶硅。
最后形成的液晶显示装置阵列基板的制造方法可以减少4层掩模板工艺中产生的栅极扫描线下非晶硅延展问题,还可以有效降低薄膜晶体管沟道表
以上介绍的仅仅是基于本发明的较佳实施例,并不能以此来限定本发明的范围。任何对本发明的测量装置作本技术领域内熟知的步骤的替换、组合、分立,以及对本发明实施步骤作本技术领域内熟知的等同改变或替换均不超出本发明的揭露以及保护范围。
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