[发明专利]一种制备钐钡铜氧单畴超导块材的方法无效
| 申请号： | 200710048814.2 | 申请日： | 2007-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN101104951A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 阚香;蒲明华;白云强;刘鸿斌;赵勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B11/00;C30B17/00;C04B35/42;C04B35/50 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 钐钡铜氧单畴 超导 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备钐钡铜氧单畴超导块材的方法，具体做法是：
a、用液相法将Sm2O3、BaCO3、CuO粉末分别按摩尔比Sm∶Ba∶Cu＝1∶2∶3和2∶1∶1的比例，分别制得纳米级的SmBa2Cu3Ox和Sm2BaCuOy两种前驱粉；
b、将a步的两种前驱粉SmBa2Cu3Ox和Sm2BaCuOy按摩尔比1∶0.1～0.4混合并研磨成混合粉末；
c、将b步的混合粉末压制成块，并在块的顶部加入MgO单晶作籽晶；
d、将a步的Sm2BaCuOy粉末压制成片；并将c步的块叠放在片上；再放在基片上，用坩埚罩罩住之后放在箱式马弗炉中；
e、将马弗炉3～5小时升温至910℃～960℃，保温10～40小时，再升温至1058℃～1062℃，保温10～40分钟；然后以100℃/小时～150℃/小时的速度降温至1045℃～1030℃内的任一温度值，在该温度下进行10～80小时且温度变化不超过2℃的恒温保温，随后炉冷至室温，即得。
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