[发明专利]一种在取向硅钢工件表面绘制图案的化学方法有效
申请号: | 200710052599.3 | 申请日: | 2007-06-29 |
公开(公告)号: | CN101085586A | 公开(公告)日: | 2007-12-12 |
发明(设计)人: | 王若平;毛炯辉;王向欣;许光;周晓东;王蓓;叶影萍;孙亮;刘细兵;欧阳页先 | 申请(专利权)人: | 武汉钢铁(集团)公司 |
主分类号: | B44C1/00 | 分类号: | B44C1/00;C21D1/26 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人: | 钟锋 |
地址: | 43008*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 取向 硅钢 工件 表面 绘制 图案 化学 方法 | ||
技术领域
本发明涉及在金属工件表面绘制图案(如图画、图像、文字等)的方法,特别是在取向硅钢工件表面绘制图案的方法。
背景技术
目前,金属工件表面绘制所需图案的方法通常有两大类方法,一是机械法(如喷砂、激光、机械雕刻等),另一类为化学腐蚀法。
化学腐蚀法:如CN86108399公开的一种不锈钢制品印刷花纹图案腐蚀技术,该方法把印刷膜转移到不锈钢表面上,经过腐蚀、过碱处理后,在其表面上形成花纹图案。
机械法:如CN1450206公开的一种使金属容器表面呈现两种颜色和/或表面效果的表面处理方法,它是将成型抛光后的金属容器的一部分覆盖保护,对露面部分进行腐蚀或喷砂处理,然后对整个金属容器进行电镀处理形成同一颜色的光滑镀层表面和花纹图案或喷砂镀层表面的两种表面效果;或者先将成型抛光后的金属容器进行电镀处理,再将其中一部分覆盖保护,对露面部分退镀处理后重新镀上新颜色的镀层,使金属容器表面形成两种不同颜色表面镀层;用这样的表面处理方法还可以得到两种以上的表面色彩以及两种以上的表面效果,使金属容器的表面色彩更加丰富,花纹图案可以变化多端,表面效果也多种多样,大大增强了金属容器的装饰作用。
CN1404627公开的一种处理衬底上薄金属层的方法和设备,通过用第一受激准分子激光脉冲辐射金属层,可控制该金属层中的颗粒度、颗粒形和颗粒界位置与定向。所述脉冲由掩膜限定的强度图案具有遮盖区与透光区。金属层被透光区覆盖的各区域贯穿其整个厚度熔化,而金属层被遮盖区覆盖的各区域保持至少部分不熔。各至少部分不熔区邻接相邻的熔化区。经第一受激准分子激光脉冲辐射后,让金属层的熔化区再固化。再固化期间,至少部分不熔区在邻接的熔化区内使颗粒活化生长而产生较大的颗粒。继第一受激准分子激光脉冲辐射再使熔化区完成再固化后,用强度图案偏移的第二受激准分子激光脉冲辐射金属层,使遮盖区覆盖金属层具有更少更大颗粒的区域。金属层被一个偏移的透光区覆盖的各区域贯穿其整个厚度熔化,而金属层被一个偏移的遮盖区覆盖的各区域保持至少部分不熔。在第二辐射束脉冲辐射后,熔化区在再固化期间,在至少部分不熔区中的较大颗粒在邻接的熔化区里活化生长甚至更大的颗粒。根据需要,可对金属层重复辐射、再固化和再辐射,直到在金属层中得到所要的颗粒结构。
上述这些方法虽然均可在金属工件表面绘制图案,但均会对金属工件表面造成不同程度的破坏。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:提供一种在取向硅钢工件表面绘制图案的化学方法,该方法可使取向硅钢工件表面晶粒定位生长形成所需图案,不会对取向硅钢工件表面造成破坏。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案是:
一种在取向硅钢工件表面绘制图案的化学方法,它包括以下步骤:
(1)脱碳退火的步骤;
(2)在工件表面涂敷涂料的步骤;
(3)高温退火的步骤;
(4)酸洗的步骤;
上述涂料包括结晶控制剂;
结晶控制剂包括水、MgO、添加剂,结晶控制剂各组分的重量百分比配比为:MgO 1-20%、添加剂0.1-20%、其余为水;
添加剂为CaO、氯化物、硼化物、硫化物、Al2O3、碳粉、纯铝粉、Sn的化合物、Sb的化合物、Sr的化合物中的一种或几种的组合;
步骤(2)包括根据所需绘制图案在工件上涂敷结晶控制剂的步骤。
上述方案中,上述涂料包括隔离剂,步骤(2)包括在工件表面涂敷隔离剂的步骤。
上述方案中,步骤(2)具体为:先在工件表面涂敷隔离剂,再在隔离剂涂层上涂敷结晶控制剂。
上述方案中,步骤(2)具体为:先在工件表面上涂敷结晶控制剂,再在工件表面和结晶控制剂涂层上涂敷隔离剂。
上述方案中,步骤(2)具体为:先在工件表面上涂敷结晶控制剂,再在结晶控制剂涂层以外的工件表面涂敷隔离剂。
上述方案中,工件上隔离剂涂层的厚度、结晶控制剂涂层的厚度均为0.1-0.5μm。
一种在取向硅钢工件表面绘制图案的化学方法,它包括以下步骤:
(1)脱碳退火的步骤;
(2)在工件表面涂敷涂料的步骤;
(3)高温退火的步骤;
(4)酸洗的步骤;
上述涂料包括结晶控制剂;
结晶控制剂包括水、MgO、添加剂、TiO2,结晶控制剂各组分的重量百分比配比为:MgO 1-10%、TiO2 1-10%、添加剂1-40%、其余为水;
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