[发明专利]一种静电放电保护电路无效
申请号: | 200710058976.4 | 申请日: | 2007-08-20 |
公开(公告)号: | CN101373894A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 戴宇杰;张小兴;吕英杰;黄维海;王洪来 | 申请(专利权)人: | 天津南大强芯半导体芯片设计有限公司 |
主分类号: | H02H9/00 | 分类号: | H02H9/00 |
代理公司: | 国嘉律师事务所 | 代理人: | 王里歌 |
地址: | 300457天津市开*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 静电 放电 保护 电路 | ||
1.一种静电放电保护电路,包括待保护的I/O端子、电源静电 放电总线端子和静电放电保护组件;其中所说的静电放电保护组件包 括晶体管,其一端连接电源静电放电总线端子,另一端连接待保护的 I/O端子;其特征在于所说的电源静电放电总线端子是正电源端子, 待保护的I/O端子是接地电源端子,晶体管是2个低压N型半导体管; 其中所说的2个低压N型半导体管相互串联,且每一个低压N型半 导体管都采用二极管连接方式;所说的一个低压N型半导体管的漏 极连接正电源端子,另一个低压N型半导体管的源极连接地电源端 子。
2.一种静电放电保护电路,包括待保护的I/O端子、电源静电 放电总线端子和静电放电保护组件;其中所说的静电放电保护组件包 括晶体管,其一端连接电源静电放电总线端子,另一端连接待保护的 I/O端子;其特征在于所说的电源静电放电总线端子是混合式电压电 源端子,待保护的I/O端子是接地电源端子,晶体管是一个高压P型 半导体管;所说的高压P型半导体管的栅极和衬底都连接最高电位, 即正电源端子,高压P型半导体管的源极连接地电源端子,漏极连接 混合式电压电源端子。
3.一种静电放电保护电路,包括待保护的I/O端子、电源静电 放电总线端子和静电放电保护组件;其中所说的静电放电保护组件包 括晶体管,其一端连接电源静电放电总线端子,另一端连接待保护的 I/O端子;其特征在于所说的电源静电放电总线端子是正电源端子, 待保护的I/O端子是混合式电压电源端子,静电放电保护组件是三组 高压NMOS管和电阻的组合;所说的每一组高压NMOS管和电阻相 互串联连接,三组之间采用并联方式连接,且三个高压NMOS管的 栅极和源极连接,并与混合式电压电源端子连接,高压NMOS管的 漏极和电阻串联,电阻的另一端与正电源端子相连。
4.根据权利要求3中所述的一种静电放电保护电路,包括待保 护的I/O端子,其特征在于所说的电阻是小阻值的Poly电阻,其阻 值为60~150欧姆。
5.一种静电放电保护电路,包括待保护的I/O端子、电源静电 放电总线端子和静电放电保护组件;其中所说的静电放电保护组件包 括晶体管,其一端连接电源静电放电总线端子,另一端连接待保护的 I/O端子;其特征在于所说的电源静电放电总线端子是正电源端子, 待保护的I/O端子是中间电平的输入输出端子,静电放电保护组件是 2个低压N型半导体管和二极管;其中所说得二极管把中间电平输入 输出端子与正电源端子相连,二极管PN结的P端与中间电平输入输 出端子相连,二极管PN结的N端和正电源端子相连;所说的2个低 压N型半导体管的连接方式为二极管连接方式,且两者相互串联, 将中间电平输入输出端子与接地电源端子连接;所说的一个低压N 型半导体管的漏极连接中间电平输入输出端子,另一个低压N型半 导体管的源极连接地电源端子。
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