[发明专利]纳米MgO晶须的低温制备方法无效
| 申请号： | 200710061300.0 | 申请日： | 2007-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101220516A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 刘永长;史庆志;马宗青 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C30B29/62 | 分类号： | C30B29/62;C30B29/16;C30B25/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300072天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 mgo 低温 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种纳米MgO晶须的低温制备方法，其特征是将镁粉和无定形硼粉按照原子比为Mg∶B＝1～1.5∶2混合，并研磨30～120min使其充分混合，将混合粉末用压力机在5～10kg/cm3的压力下压制成烧结块体后放入坩埚内，然后将坩埚放入真空管式炉的加热区，随后对管式炉进行密封并抽真空至1～10Pa后充入混有2％～5％氧气的氩气，混合气体流速控制在5～20lit./min，以5～20K/min的升温速率将样品加热到650～750℃并保温0～120min后以相同速率降至室温，可使样品表面生成不同形貌和尺寸的纳米MgO晶须。
2.如权利要求1所述的纳米MgO晶须的低温制备方法，其特征是所述的镁粉和无定形硼粉为分析纯。
3.如权利要求1所述的纳米MgO晶须的低温制备方法，其特征是所述的坩埚为刚玉、石墨或氮化硼(BN)。
4.如权利要求1所述的纳米MgO晶须的低温制备方法，其特征是所述的坩埚竖直地放入真空管式炉的加热区。
5.如权利要求1所述的纳米MgO晶须的低温制备方法，其特征是所述的研磨在玛瑙或陶瓷研钵中研磨。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710061300.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
