[发明专利]多晶硅的等离子生产方法及其装置

权利要求书

1. 多晶硅的等离子生产方法及其装置，其特征为将作为原料的硅烷或卤代硅烷气体与氢气经预热后通入温度为1450——1550℃的等离子转换室，混合物在瞬间被加热到等离子状态，在冷却过程中生成硅单体的液体或细粉末和气体副产物，液体硅单体经液态硅流出口流出，硅单体细粉末和气体副产物进入尾气分离室进行分离，分离出的气体副产品进入尾气储存罐。

2. 根据权利要求1所述的多晶硅的等离子生产方法及其装置，其特征为等离子转换室中具有耐高温陶瓷管，在耐高温陶瓷管上装有高温加热装置，在高温陶瓷管的一端具有多个原料入口，高温陶瓷管的另一端插入保温坩锅内，在保温坩锅壁内装有加热钨钼棒，在保温坩锅内壁上具有气体导流螺旋纹，在保温坩锅的下部具有保温的液态硅流出口，保温坩锅安装在转换室外壳内，在外壳顶上装有尾气排出口。

3. 根据权利要求2所述的多晶硅的等离子生产方法及其装置，其特征为装在高温陶瓷管上的高温加热装置可以是高频电弧加热器或电热管加热器或燃料燃烧加热器。

4. 根据权利要求1所述的多晶硅的等离子生产方法及其装置，其特征为尾气分离塔具有分离室、在分离室下部装有气体副产物进入管，在进入管外壁装有水冷换热器，在分离室底部装有包装容器，在分离室上部装有滤膜层，滤膜采用玻璃纤维或聚氟乙烯纤维制作，在滤膜层上方装有滤膜震荡泵。

5. 根据权利要求1所述的多晶硅的等离子生产方法及其装置，其特征为尾气储存罐具有分离的上罐体和下罐体两部分，在下罐体的四周侧壁具有开口的间隔层，在间隔层中装有密封液，上罐体侧壁下部插入间隔层中，在下罐体底部装有进气管、残液排出口和出气管，出气管伸入罐体中，其顶端处于气体上部。