[发明专利]一种负载过流无损检测及充电过压保护的方法

权利要求书

1、一种负载过流无损检测及充电过压保护的方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：

1.1)、晶体管T1得到驱动脉冲时，晶体管T1导通，脉动直流电V+给线圈L1储能，线圈L4、二级管D06、电容C06工作在开关电源正激变换状态，电容C06电压与供电电压成正比例关系，即可以得到30V的电压；当驱动脉冲停止时，线圈L1的能量通过线圈L2、二级管D01给蓄电池充电；当电容C06电压下降到一定值后，光耦G1中的LED电流减小，控制模块M1的6脚降到低电平，致晶体管T1导通，正激变换又开始工作，瞬间后电容C6的电压又充到30V，以此循环；

1.2)、充电输出是在反激变换状态，负载特性比较软，当负载加大时，输出电压会明显下降，正常充电时，输出电压在40V-60V之间；当因过流或短路输出电压下降到30V以下时，电容C06上的电能经二极管D07、电阻R012、光耦G1、晶体管T04、电阻R08使晶体管T04导通，正常充电时晶体管T04工作处在反偏状态，晶体管T04的基极电压高于其发射极电压；当光耦G1的LED达到一定电流后光耦中的三极管部分也导通，给控制模块M1的6脚致高电平，致晶体管T1零电平就关断了开关电源；

1.3)、当蓄电池电压低于59V左右时，稳压二级管Z03、电阻R09、电阻R010串联电路中的电阻R010上的电压达不到可控硅K01的触发电压，可控硅K01关断，充电正常进行；若充电器电压控制电路损坏后，蓄电池电压充到59V以上时，电阻R010上的电压达到可控硅K01的触发电压，使其开通，电流经电阻R011、光耦G1的LED、可控硅K01，并使可控硅K01自锁，这时，光耦G1的三极管部分导通，致控制模块M1的6脚高电平，使晶体管T1零电平就关断了开关电源，充电结束。

2、根据权利要求1所述的负载过流无损检测及充电过压保护的方法，其特征是：当过流或过压时，利用光耦G1中三级管部分的导通，外加电压给控制模块M1的6脚致高电平，使晶体管T1零电平就关断了开关电源，充电结束。