[发明专利]一种负载过流无损检测及充电过压保护的方法无效

专利信息
申请号: 200710069239.4 申请日: 2007-06-07
公开(公告)号: CN101067633A 公开(公告)日: 2007-11-07
发明(设计)人: 鲍旭东 申请(专利权)人: 建德市正达电器有限公司
主分类号: G01R19/165 分类号: G01R19/165;H02J7/00
代理公司: 杭州九洲专利事务所有限公司 代理人: 陈继亮
地址: 311604浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 负载 无损 检测 充电 保护 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及充电无损检测及保护领域,主要是一种负载过流无损检测及充电过压保护的方法。

背景技术

目前的充电器还没有这种模式的负载过流无损检测及充电过压保护,当负载过流,会造成器件损坏;当充电过压时,会造成电池损坏。

发明内容

本发明要解决上述现有的缺点,提供一种负载过流无损检测及充电过压保护的方法。

本发明解决其技术问题采用的技术方案:这种负载过流无损检测及充电过压保护的方法,该方法包括如下步骤:

1.1)、晶体管T1得到驱动脉冲时,晶体管T1导通,脉动直流电V+给线圈L1储能,线圈L4、二级管D06、电容C06工作在开关电源正激变换状态,电容C06电压与供电电压成正比例关系,即可以得到30V的电压;当驱动脉冲停止时,线圈L1的能量通过线圈L2、二级管D01给蓄电池充电;

1.2)、充电输出是在反激变换状态,负载特性比较软,当负载加大时,输出电压会明显下降,正常充电时,输出电压在40V-60V之间;当因负载短路或过流时,输出电压下降到30V以下时,电容C06上的电能经二极管D07、电阻R012、光耦G1、晶体管T04、电阻R08使晶体管T04导通;当光耦G1的LED达到一定电流后光耦中的三极管部分也导通,给M1的6脚致高电平,致晶体管T1零电平就关断了开关电源,达到了暂时保护的目的;

1.3)、当电容C06电压下降到一定值后,光耦G1中的LED电流减小,M1的6脚降到低电平,致晶体管T1导通,正激变换又开始工作,瞬间后电容C6的电压又充到30V,以此循环,保护得以延续,最终达到过流、断路保护的目的。

本发明中正常充电时晶体管T04工作处在反偏状态,晶体管T04的基极电压高于其发射极电压。

本发明中当蓄电池电压低于59V左右时,稳压二级管Z03、电阻R09、电阻R010串联电路中的电阻R010上的电压达不到可控硅K01的触发电压,可控硅K01关断,充电正常进行;若充电器电压控制电路损坏后,蓄电池电压充到59V以上时,电阻R010上的电压达到可控硅K01的触发电压,使其开通,电流经电阻R011、光耦G1的LED、可控硅K01,并使可控硅K01自锁,这时,光耦G1的三极管部分导通,致M1的6脚高电平,致晶体管T1零电平就关断了开关电源,充电结束。

本发明中当过流或过压时,利用光耦G1中三级管部分的导通,外加电压给模块M1的6脚致高电平,使晶体管T1零电平就关断了开关电源,充电结束。

本发明有益的效果是:本发明的电路简单,可靠性高,成本较低。

附图说明

图1是本发明的电路原理示意图;

图2是本发明的驱动波形图;

图3是本发明的反馈波形图;

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本发明作进一步详细的说明。

如图1所示,这种负载过流无损检测及充电过压保护的方法,该方法包括如下步骤:

1.1)、晶体管T1得到驱动脉冲时,晶体管T1导通,脉动直流电V+给线圈L1储能,线圈L4、二级管D06、电容C06工作在开关电源正激变换状态,电容C06电压与供电电压成正比例关系,即可以得到30V的电压;当驱动脉冲停止时,线圈L1的能量通过线圈L2、二级管D01给蓄电池充电;

1.2)、充电输出是在反激变换状态,负载特性比较软,当负载加大时,输出电压会明显下降,正常充电时,输出电压在40V-60V之间;当因过流输出电压下降到30V以下时,电容C06上的电能经二极管D07、电阻R012、光耦G1、晶体管T04、电阻R08使晶体管T04导通;当光耦G1的LED达到一定电流后光耦中的三极管部分也导通,给M1的6脚致高电平,致晶体管T1零电平就关断了开关电源,达到了暂时保护的目的;

1.3)、当电容C06电压下降到一定值后,光耦G1中的LED电流减小,M1的6脚降到低电平,致晶体管T1导通,正激变换又开始工作,瞬间后电容C6的电压又充到30V,以此循环,保护得以延续,最终达到过流、断路保护的目的。

本发明中正常充电时晶体管T04工作处在反偏状态,晶体管T04的基极电压高于其发射极电压。

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