[发明专利]Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法无效
申请号: | 200710072440.8 | 申请日: | 2007-07-02 |
公开(公告)号: | CN101144187A | 公开(公告)日: | 2008-03-19 |
发明(设计)人: | 徐衍岭;杨春晖;王锐;杨同勇;王斌举 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C30B29/32 | 分类号: | C30B29/32;C30B15/00 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人: | 单军 |
地址: | 150001黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | zn 掺杂 钨酸铅 晶体 及其 制备 方法 | ||
1.Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体,其特征在于Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体由氧化钨、氧化铅、氧化钇和氧化锌制成;氧化钨与氧化铅的摩尔比为1∶1,氧化钇的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50~200ppm,氧化锌的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50~1050ppm。
2.根据权利要求1所述的Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体,其特征在于氧化钇的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的100~150ppm,氧化锌的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的100~1000ppm。
3.根据权利要求1所述的Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体,其特征在于氧化钨、氧化铅、氧化钇和氧化锌的纯度高于99.99%。
4.权利要求1所述Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体的制备方法,其特征在于Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体按以下步骤制备:一、烧结:将氧化钨、氧化铅、氧化钇和氧化锌放入铂坩埚混合均匀,然后置于温度为1000℃的环境中烧结2h,再冷却至室温;二、采用提拉法生长晶体:经引晶、缩颈、放肩、收肩、等径生长、拉脱和退火程序,即得到Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体;其中步骤一中氧化钨与氧化铅的摩尔比为1∶1,氧化钇的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50~200ppm,氧化锌的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50~1050ppm。
5.根据权利要求4所述的Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体的制备方法,其特征在于步骤二引晶程序中籽晶在不熔不化温度下继续生长2mm。
6.根据权利要求4所述的Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体的制备方法,其特征在于步骤二引晶、放肩、收肩和等径生长程序中保持35~50r/min的转速和3~5mm/h的晶体提拉生长速度;在退火程序中晶体保持30r/min的旋转速度。
7.根据权利要求4所述的Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体的制备方法,其特征在于步骤二缩颈程序中将籽晶的直径缩细为3~4mm。
8.根据权利要求4所述的Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体的制备方法,其特征在于步骤二中晶体提拉生长速度为4mm/h,提拉轴向温度梯度:液面上为40~50℃/cm、液面下为15~25℃/cm,提拉径向温度梯度为4~6℃/cm。
9.根据权利要求4所述的Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体的制备方法,其特征在于步骤二中以45℃/h的速度退火,降低温度至室温。
10.根据权利要求4所述的Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体的制备方法,其特征在于步骤二等径生长程序中温度以2℃/h的速度上升。
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