[发明专利]在SOP封装线上实现多芯片、被动元件封装的工艺无效
申请号: | 200710077100.4 | 申请日: | 2007-09-14 |
公开(公告)号: | CN101131940A | 公开(公告)日: | 2008-02-27 |
发明(设计)人: | 朱军山;蓝记粧;伍升平 | 申请(专利权)人: | 广东省粤晶高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人: | 满群 |
地址: | 510663广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | sop 封装 线上 实现 芯片 被动 元件 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及一种IC封装及先进的布线、优化焊线工艺,尤其涉及一种在SOP封装线上实现多芯片、被动元件的封装工艺。
背景技术
随着电子技术的飞速发展,芯片的封装技术也在不断革新。新型封装技术(CSP、Flip Chip)与基板技术的发展,导致了SiP重新成为开发的热点。SiP是通过一个封装来完成一个系统目标产品的全部连接以及功能和性能。作为一个“系统”,其内部包括数字的、模拟的、射频的、宽带通讯的、甚至微机电和光电器件或包括从传感器接受、控制到驱动输出执行全过程。
SiP的优异性能与其复杂的制作工艺是分不开的。SiP集合了当今封装行业的许多尖端技术,包括芯片堆叠、内部互连、多层基板、散热器等等。目前主要采用BGA封装形式来实现系统级(SiP)的封装技术,BGA封装要求制作特殊的PCB板,在目前现有的生产条件下,生产效率比较低,同时也缺乏通用性和增加制造成本,在一定程度上制约系统级(SiP)的封装技术全方面的快速发展。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的不足之处,提供一种用SOP24封装实现的SiP封装技术,具有与SOP24完全兼容,能在不改变生产线设备的基础上,实现SiP封装,使封装的体积大大缩小,电路板的面积随之缩小,节省封装材料并提高电路的可靠性,从而避开通常SiP封装所必需的基板设计,制造技术,使用SOP的框架即可实现多芯片、被动元件组合的SiP的封装工艺。
本发明的目的可以通过以下措施来达到:
这种在SOP封装线上实现多芯片、被动元件的封装工艺,其特殊之处在于:它包括下列工艺:
(1)将贴片电阻与辅助芯片使用导电银胶粘合在引线框架上;
(2)被动元件使用导电银胶焊接在引线框架的两个焊点上;
(3)在SOP封装体内,将多芯片、辅助芯片和若干个被动元器件封装其内;
(4)进行老化及表面处理;
(5)打印。
本发明的目的可以通过以下措施来达到:
所述步骤(1)的贴片电阻使用导电银胶粘合引线框架与辅助芯片使用导电银胶粘合引线框架步骤之间加入烘干步骤。
所述步骤(1)与步骤(2)之间加入烘干步骤。
所述银浆点定位置A与电阻、辅助芯片的放置位置B的最佳尺寸是A=0.00625英寸,B=0.011英寸。
本发明相比现有技术具有如下优点:
1、该工艺与SOP完全兼容,能在不改变生产线设备的基础上,实现SiP封装。
2、依该工艺制作出来的器件,在原有面积上提高了系统的集成度,而且集成了数字信号器件与模拟信号器件,既有主动器件也有被动器件,并且具有信号控制与外部驱动功能,不但体现出SiP系统封装的特点,也能降低制作难度和设备要求。
附图说明
图1是本发明中电阻与引线框架的连接以及辅助芯片焊接在引线框架上的连接示意图。
图2是本发明中银浆点定位置与电阻、辅助芯片放置位置示意图。
图3是本发明SiP芯片布置示意图。
具体实施方式
本发明下面将结合附图作进一步详述:
在SOP封装线上实现多芯片、被动元件的封装工艺,包括下列工艺:
(1)将贴片电阻使用导电银胶粘合引线框架上;
(2)烘干,使其固定牢固;
(3)辅助芯片使用导电银胶粘合在引线框架上;
(4)烘干,使其固定牢固;
(5)被动元件使用导电银胶焊接在引线框架的两个焊点上;
(6)在SOP封装体内,将多芯片、辅助芯片和若干个被动元器件封装其内,所述银浆点定位置A与电阻、辅助芯片的放置位置B的最佳尺寸是A=0.00625英寸,B=0.011英寸;
(7)进行老化及表面处理;
(8)打印;
(9)测试。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,凡依本发明权利要求范围所做的均等变化与修饰,皆应属本发明权利要求的涵盖范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造