[发明专利]多晶片面对面堆叠封装构造

权利要求书

1. 一种多晶片面对面堆叠封装构造，其特征在于该封装构造包含：

一基板，其是具有一第一表面、一第二表面、多数个第一凸块容置孔与多数个第二凸块容置孔；

一第一晶片，其主动面是设置于该基板的该第一表面，并且该第一晶片是具有多数个对准在上述第一凸块容置孔的第一电极；

多数个第一凸块，其是设置于上述第一凸块容置孔内并电性连接上述第一电极至该基板；

一第二晶片，其主动面是设置于该基板的该第二表面，并且该第二晶片是具有多数个对准在上述第二凸块容置孔的第二电极；

多数个第二凸块，其是设置于上述第二凸块容置孔内并电性连接上述第二电极至该基板；以及

多数个外接端子，其是设置于该基板。

2. 根据权利要求1所述的多晶片面对面堆叠封装构造，其特征在于其中所述的第一凸块是由该基板的第二表面设置于上述第一凸块容置孔内，且上述第二凸块是由该基板的第一表面设置于上述第二凸块容置孔内。

3. 根据权利要求1所述的多晶片面对面堆叠封装构造，其特征在于其中所述的第二晶片是遮盖上述第一凸块容置孔，以使上述第一凸块位于该第一晶片与该第二晶片之间。

4. 根据权利要求1或3所述的多晶片面对面堆叠封装构造，其特征在于其中所述的第一晶片是具有小于该第二晶片的尺寸，以不遮盖上述第二凸块容置孔。

5. 根据权利要求4所述的多晶片面对面堆叠封装构造，其特征在于其中所述的第二凸块位于该第一晶片的两侧。

6. 根据权利要求1所述的多晶片面对面堆叠封装构造，其特征在于其中所述的外接端子是设置于该基板的第二表面。

7. 根据权利要求1或6所述的多晶片面对面堆叠封装构造，其特征在于其中所述的基板是具有一线路层，其是形成于该第一表面。

8. 根据权利要求6所述的多晶片面对面堆叠封装构造，其特征在于其另包含有一封胶体，其是形成于该基板的第一表面，以密封该第一晶片与上述第二凸块。

9. 根据权利要求8所述的多晶片面对面堆叠封装构造，其特征在于其中所述的封胶体是更形成于该基板的第二表面的一部位，以密封该第二晶片。

10. 根据权利要求1所述的多晶片面对面堆叠封装构造，其特征在于其中所述的外接端子是设置于该基板的第一表面。

11. 根据权利要求1或10所述的多晶片面对面堆叠封装构造，其特征在于其中所述的基板是具有一线路层，其是形成于该第二表面。

12. 根据权利要求10所述的多晶片面对面堆叠封装构造，其特征在于其另包含有一封胶体，其是形成于该基板的第二表面，以密封该第二晶片。

13. 根据权利要求12所述的多晶片面对面堆叠封装构造，其特征在于其中所述的封胶体是更形成于该基板的第一表面的一部位，以密封该第一晶片与上述第二凸块。

14. 根据权利要求1所述的多晶片面对面堆叠封装构造，其特征在于其另包含有至少一第三晶片，其是设置于该第二晶片上并电性连接至该基板。

15. 根据权利要求1或14所述的多晶片面对面堆叠封装构造，其特征在于其另包含有至少一第四晶片，其是设置于该第一晶片上并电性连接至该基板。