[发明专利]静态随机存取存储器宏和双端口静态随机存取存储器装置无效
申请号: | 200710084684.8 | 申请日: | 2007-03-01 |
公开(公告)号: | CN101154442A | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | 廖忠志 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/413 | 分类号: | G11C11/413;G11C11/416;G11C11/419 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静态 随机存取存储器 端口 装置 | ||
1.一种静态随机存取存储器宏,包含:
一单元阵列,含有由多个位线和多个字线寻址的一个或多个静态随机存取存储器单元;
一个或多个参考单元,耦合在至少一个参考位线以及用来寻址所述静态随机存取存储器单元的所述字线上;以及
至少一感测放大器,具有第一端,接收来自该单元阵列的一个选择的静态随机存取存储器单元的感测电流;以及第二端,接收由耦合在该选择的静态随机存取存储器单元的相同字线所控制的一选择的参考单元所产生的参考电流,比较该参考电流与该感测电流,以产生代表该选择的静态随机存取存储器单元中的一逻辑状态的一输出信号。
2.如权利要求1所述的静态随机存取存储器宏,其中,所述静态随机存取存储器单元是多个双端口静态随机存取存储器单元。
3.如权利要求1所述的静态随机存取存储器宏,其中,该参考位线没有连接到任何该单元阵列的所述静态随机存取存储器单元。
4.如权利要求1所述的静态随机存取存储器宏,其中,当该选择的静态随机存取存储器单元处于一低逻辑状态时,该参考电流大于该感测电流。
5.如权利要求1所述的静态随机存取存储器宏,其中,当该选择的静态随机存取存储器单元处于一高逻辑状态时,该参考电流小于该感测电流。
6.如权利要求1所述的静态随机存取存储器宏,进一步包含列选择器,耦合在该单元阵列、所述参考单元和该感测放大器之间,用来选择性地使该感测电流与该参考电流通过至该感测放大器。
7.如权利要求6所述的静态随机存取存储器宏,其中,该感测放大器进一步包含电流镜负载,耦合至该列选择器,以分别地将该感测电流和该参考电流转换为一感测电压和一参考电压。
8.如权利要求7所述的静态随机存取存储器宏,其中,该感测放大器进一步包含比较器,用于比较该感测电压与该参考电压,当该感测电压比该参考电压高时,该比较器产生一高输出信号,以及,当该感测电压比该参考电压低时,该比较器产生一低输出信号。
9.一种双端口静态随机存取存储器装置,包含:
一单元阵列,具有由多个位线和字线寻址的一个或多个双端口静态随机存取存储器单元;
一个或多个参考单元,耦合到至少一个参考位线和寻址所述双端口静态随机存取存储器单元的所述字线;以及
至少一个感测放大器,具有第一端,接收来自单元阵列的一选择的双端口静态随机存取存储器单元的感测电流;以及第二端,接收由耦合在该选择的双端口静态随机存取存储器单元的相同字线所控制的参考单元所产生的参考电流,比较该参考电流与该感测电流,以产生代表该选择的双端口静态随机存取存储器单元中的一逻辑状态的一输出信号。
10.如权利要求9所述的双端口静态随机存取存储器装置,其中,该参考位线没有连接到该单元阵列中的任何所述双端口静态随机存取存储器单元。
11.如权利要求9所述的双端口静态随机存取存储器装置,其中,当该选择的双端口静态随机存取存储器单元具有一低逻辑状态时,该参考电流比该感测电流大。
12.如权利要求9所述的双端口静态随机存取存储器装置,其中,当该选择的双端口静态随机存取存储器单元具有一高逻辑状态时,该参考电流比该感测电流小。
13.如权利要求9所述的双端口静态随机存取存储器装置,进一步包含列选择器,耦合在该单元阵列、该参考单元和该感测放大器之间,用来选择性地使该感测电流与该参考电流通过至该感测放大器。
14.如权利要求13所述的双端口静态随机存取存储器装置,其中,该感测放大器进一步包含电流镜负载,耦合至该列选择器,以分别地将该感测电流和该参考电流转换成一感测电压和一参考电压。
15.如权利要求14所述的双端口静态随机存取存储器装置,其中,该感测放大器进一步包含比较器,用来比较该感测电压与该参考电压,当该感测电压比该参考电压高时,产生一高输出信号,以及,当该感测电压比该参考电压低时,产生一低输出信号。
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