[发明专利]半导体元件、集成电路以及半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一第一高压阱区，具有一第一掺杂杂质，设置于一半导体基底；

一第二高压阱区，具有一第二掺杂杂质，设置于上述半导体基底，并侧向相邻于上述第一高压阱区；

一低压阱区，具有上述第二掺杂杂质，位于上述第二高压阱区的上方，并侧向相邻于上述第一高压阱区；

一漏极，具有上述第一掺杂杂质，设置于上述第一高压阱区；

一源极，具有上述第一掺杂杂质，设置于上述低压阱区；以及

一栅极，设置于上述半导体基底并侧向位于上述源极以及上述漏极之间，其中上述栅极包括一薄栅极电介质以及一栅极电极。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中上述栅极以及上述源极在上述栅极与上述源极之间在一低电压下操作，其中上述低电压的范围在1伏特与6伏特之间。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中上述漏极以及上述源极在上述漏极与上述源极之间在一高电压下操作，其中上述高电压的范围在12伏特与100伏特之间。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其中上述第一掺杂杂质以及上述第二掺杂杂质中之一包括一N型掺杂杂质，以及上述第一掺杂杂质以及上述第二掺杂杂质中另一包括一P型掺杂杂质。

5.一种制造半导体元件的方法，包括：

在一半导体基底形成一第一掺杂杂质的一第一高压阱区；

形成一第二掺杂杂质的一第二高压阱区以及形成上述第二掺杂杂质的一低压阱区，上述低压阱区设置于上述第二高压阱区的上方，以及上述第二高压阱区与上述低压阱区侧向相邻于上述第一高压阱区；

在上述低压阱区形成一源极以及在上述第一高压阱区形成一漏极；以及

在上述半导体基底形成一栅极并将所述栅极插入于上述源极与上述漏极之间。

6.一种集成电路，包括：

一侧向双扩散金氧半导体晶体管，形成于一半导体基底，其中上述侧向双扩散金氧半导体晶体管包括一厚栅极电介质；以及

一第一元件以及一第二元件，其中上述第一元件包括：

一第一漏极，具有一第一掺杂杂质，设置于一半导体基底的上述第一掺杂杂质的一第一高压阱区；

一第一低压阱区，具有一第二掺杂杂质，设置于上述半导体基底；

一第一源极，具有上述第一掺杂杂质，设置于上述第一低压阱区；

一第二高压阱区，具有上述第二掺杂杂质，设置于上述第一低压阱区的下方以及侧向包围上述第一低压阱区，使得位于上述第一源极以及上述第一漏极之间的一第一通道区包括部分的上述第二高压阱区以及部分的上述第一低压阱区；以及

一第一栅极，具有一第一薄栅极电介质，设置于上述第一通道区的上方以及侧向位于上述第一源极以及上述第一漏极之间；

以及上述第二元件包括：

一第二漏极，具有上述第一掺杂杂质，设置于上述半导体基底的上述第一掺杂杂质的一第三高压阱区；

一第二低压阱区，具有上述第二掺杂杂质，设置于上述半导体基底以及侧向相邻于上述第三高压阱区；

一第二源极，具有上述第一掺杂杂质，设置于上述第二低压阱区；

一第四高压阱区，具有上述第二掺杂杂质，设置于上述第二低压阱区的下方并侧向相邻于上述第三高压阱区；以及

一第二栅极，具有一第二薄栅极电介质，设置于一第二通道区的上方以及侧向位于上述第二源极与上述第二漏极之间。

7.如权利要求6所述的集成电路，其中上述厚栅极电介质的厚度范围在500埃与3000埃之间，上述第一薄栅极电介质以及上述第二薄栅极电介质的厚度范围在50埃与300埃之间。