[发明专利]芯片封装结构及其制作方法无效
申请号: | 200710087671.6 | 申请日: | 2007-03-13 |
公开(公告)号: | CN101266932A | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
发明(设计)人: | 乔永超;邱介宏;吴燕毅 | 申请(专利权)人: | 百慕达南茂科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/488;H01L23/495;H01L23/31 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 百慕大*** | 国省代码: | 百慕大群岛;BM |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 封装 结构 及其 制作方法 | ||
1. 一种芯片封装结构的制作方法,包括:
提供一金属薄板,具有一上表面以及一下表面,其中该金属薄膜的该上表面具有一第一凸起部、一第二凸起部以及多个第三凸起部,该第二凸起部是位于该第一凸起部与该些第三凸起部之间,且该第一凸起部、该第二凸起部以及该些第三凸起部是彼此相连;
提供一芯片,该芯片具有一主动面、一背面与多个芯片焊垫,其中该些芯片焊垫配置于该主动面上;
将该芯片的该背面固着于该第一凸起部上;
形成多条第一焊线以及多条第二焊线,其中该些第一焊线是分别连接该些芯片焊垫与该些第二凸起部,而该些第二焊线是分别连接该些第二凸起部与该些第三凸起部;
形成一上胶体以及一下胶体,其中该上胶体是包覆住该金属薄板的该上表面、该芯片以及该些第一焊线与该些第二焊线,该下胶体是包覆住该金属薄板的该下表面,且暴露出该第一凸起部、该第二凸起部与该些第三凸起部彼此之间相连的部分;以及
以该下胶体为一蚀刻掩膜蚀刻该金属薄板,直到该第一凸起部、该第二凸起部与该些第三凸起部彼此电性绝缘,如此,该第一凸起部即形成一芯片座、该第二凸起部即形成一汇流架,且该些第三凸起部即形成多个引脚。
2. 如权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,该金属薄板为一铜箔。
3. 如权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,该些第一焊线与该些第二焊线是由打线接合技术形成。
4. 如权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法,其特征在于,该下胶体包括多个凹部,以暴露出该第一凸起部、该第二凸起部与该些第三凸起部彼此之间相连的部分。
5. 如权利要求4所述的芯片封装结构的制造方法,其特征在于,还包括形成一胶体于该下胶体的该些凹部内。
6. 一种芯片封装结构,包括:
一芯片,具有一主动面、一背面与多个芯片焊垫,其中该些芯片焊垫配置于该主动面上;
一导线架,具有一上表面以及与其相对应的一下表面,该导线架包括:
一芯片座,该芯片的该背面是固着于该芯片座上;
多个引脚,环绕该芯片座;以及
至少一汇流架,位于该芯片座与该些引脚之间;
多条第一焊线,分别连接该些芯片焊垫与该汇流架;
多条第二焊线,分别连接该汇流架与该些引脚;
一上胶体,包覆住该导线架的该上表面、该芯片以及该些第一焊线与该些第二焊线;以及
一第一下胶体,包覆住该导线架的该下表面,其中该第一下胶体具有多个凹部,以暴露出对应于该芯片座与该汇流架之间的该上胶体、对应于该汇流架及该些引脚之间的该上胶体,以及对应于相邻的二该引脚之间的该上胶体。
7. 如权利要求6所述的芯片封装结构,其特征在于,还包括一第二下胶体,形成于该第一下胶体的该些凹部内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造