[发明专利]正型光阻剂

说明书

技术领域

本发明涉及一种正型光阻剂，且特别涉及一种适用于细缝刮刀式涂布法的正型光阻剂。

背景技术

光阻剂是用于将图像转至基板的感光薄膜。在基板上形成光阻剂涂层，接着透过光罩以活化辐射源使光阻剂层曝光，由于光罩具有某些对活化辐射不透明的区域以及其它对活化辐射透明的区域，故可以控制光阻剂层曝光的形状。曝光于活化辐射可在光阻剂涂层提供光诱发的化学转换，将光罩的图像转移至光阻剂涂层基板。曝光后，使光阻剂显影以提供可使基板进行选择性处理的浮雕影像。

光阻剂分为正型光阻剂或负型光阻剂。就负型光阻剂而言，曝光于活化辐射的涂层区域，其光阻剂组合物的聚合试剂与光活化性化合物之间产生聚合或交联反应。因此，涂层经曝光区域比未曝光区域较难溶于显影剂溶液。就正型光阻剂而言，经曝光区域较易溶于显影剂溶液中，未曝光区域相对难溶于显影剂而残留。

近年来，随着液晶电视、液晶监视器与笔记本型计算机的面板尺寸越来越大，强烈市场带动下，液晶面板逐渐朝大型化及低价化发展。为了达此目标，首先就是要将母玻璃基板再扩大。在此产业背景下，占液晶面板(TFT-LCD)的材料成本达15至25％的彩色滤光片急需通过制程技术来降低制造成本。为了达此目的，设备商、光阻材料商、彩色滤光片厂商及面板业者均全力开发新式光阻涂布技术，以往涂布正型光阻剂层是以旋转涂布法(Spin coating)为主，其主要是利用旋转基板的方式让正型光阻剂涂布均匀，但由于母玻璃基板大型化之后，旋转涂布法已经无法符合需求，取而代之的是细缝刮刀式涂布法，其具备正型光阻剂用量低、涂布速度快、产能高等优势，特别适用于五代以上的大型母玻璃基板的制造。

然而，为了搭配新世代的细缝刮刀式涂布法，正型光阻剂的成份必需做调整，来配合此方法，才能成功涂布正型光阻剂于玻璃基板上。细缝刮刀式涂布法一般包括以下步骤：(1)洗净基板；(2)细缝刮刀式涂布；(3)减压干燥；以及(4)加热烘烤等。针对细缝刮刀式涂布法，因其并无旋转涂布的机制，所以只靠一具有50-100μm狭缝的细缝刮刀来涂布，已知的旋转涂布法是利用旋转的机制有助于来提高涂膜的均匀度，而细缝刮刀法则仅能调整细缝刮刀移动速度、细缝刮刀光阻吐出量以及细缝刮刀至玻璃表面距离，若要使涂膜的均匀度提高，必须要靠正型光阻剂本身流体特性来控制均匀度，所以，细缝刮刀式涂布法对正型光阻剂特性的依赖性比旋转涂布法高。

现将细缝刮刀式涂布法所需正型光阻剂的主要特性描述如下：

(1)正型光阻剂的流体特性与光阻粘度、表面张力与正型光阻剂中的成份：树脂、添加剂与溶剂有关，一般粘度适合范围在3～5mPa.s(cps)。

(2)涂布表面平坦性与正型光阻剂粘度及正型光阻剂中的树脂、溶剂及添加剂有关。

(3)减压干燥及加热烘烤制程的膜面均匀性与正型光阻剂中溶剂组成相关。

因此，为了满足细缝刮刀式涂布法对光阻的特殊要求，需要提供一种新的正型光阻剂。

发明内容

本发明的目的在于提供一种正型光阻剂，其适合应用于细缝刮刀式涂布法的特性要求。

本发明提出一种正型光阻剂，其包含树脂、添加剂和溶剂。其中，该正型光阻剂的溶剂包含至少两种具有不同沸点的溶剂。

在本发明的优选实施例中，上述的该二种不同沸点的溶剂差异大于或等于10℃。其中一种为高沸点溶剂，沸点大于155℃，另一种或二种为较低沸点溶剂，其沸点小于150℃。

本发明正型光阻剂因采用具有至少二种以上不同沸点的溶剂将正型光阻剂调制为液态组成物，并配合低分子量树脂及添加剂使本发明正型光阻剂具有适合细缝涂布法的流体特性，提高其涂布表面的平坦性及膜面的均匀性。

为了使本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，在下文中通过优选实施例，并配合附图，作如下详细说明。

附图说明

图1为本发明正型光阻剂涂布后的膜厚量测图。

具体实施方式

以下就是本发明正型光阻剂的组合物的各成份，分别详细描述如下：

(A)树脂：

本发明正型光阻剂所使用的树脂为一种高分子物质，其可以为酚醛树脂(Novolak，novolac resin)，使用分子量(Mw)低于20000，若在10000以下更好。分子量低有助于涂布的流动平坦性更好，涂布表面较平坦。

(B)添加剂：