[发明专利]CMOS工艺中无运算放大器的带隙基准电压源

权利要求书

1.一种电压发生电路，包括：

连接在已调整电压和接地基准之间并产生输出带隙电压的无运算放大器的带隙电压发生核心电路；以及

从未调整的电源电压产生该已调整电压的电路。

2.权利要求1的电压发生电路，其中该无运算放大器的带隙电压发生核心电路包括第一和第二节点且还包括负反馈回路和正反馈回路，该负反馈回路和正反馈回路用于使该第一和第二节点处的电压相等。

3.权利要求2的电压发生电路，其中该负反馈回路的增益大于该正反馈回路的增益。

4.权利要求1的电压发生电路，其中产生已调整电压的电路包括可用于稳定该已调整电压的负反馈回路。

5.权利要求4的电压发生电路，其中可用于稳定该已调整电压的该负反馈回路耦合成检测该无运算放大器的带隙电压发生核心电路内的内部电压，该带隙电压发生核心电路跟踪该已调整电压。

6.权利要求1的电压发生电路，其中产生已调整电压的电路包括连接到被供给了该已调整电压的节点的电流源电路，该电流源电路包括可用于镜面反射该无运算放大器的带隙电压发生核心电路的PTAT电流的电流反射镜。

7.权利要求1的电压发生电路，其中产生已调整电压的电路包括用于检测随该已调整电压变化而变化的电压的电路，并反馈到该已调整电压，以便稳定该已调整电压。

8.权利要求7的电压发生电路，其中该检测的变化的电压为该无运算放大器的带隙电压发生核心电路内的内部电压。

9.一种电压发生电路，包括：

连接在已调整电压节点和接地基准节点之间并产生输出带隙电压的无运算放大器的带隙电压发生核心电路，该核心电路包括：

第一和第二双极晶体管，它们的集电极和基极相互耦合并耦合到该接地基准节点；

第一电阻器，具有连接到第二双极晶体管的发射极的第一端并具有第二端；

第一MOS晶体管，其源极连接到该第一双极晶体管的发射极；以及

第二MOS晶体管，其源极连接到该第一电阻器的第二端；以及

在已调整电压节点处从未调整电源电压产生已调整电压的电路，其包括第三MOS晶体管，其栅极连接到该第二MOS晶体管的漏极且其漏极连接到该已调整电压节点。

10.权利要求9的电压发生电路，还包括第三双极晶体管，其集电极和基极相互耦合并耦合到接地基准节点，且其发射极连接到该第三MOS晶体管的源极。

11.权利要求9的电压发生电路，还包括耦合成向该已调整电压节点供给电流的电流源。

12.权利要求11的电压发生电路，其中供给到该已调整电压节点的电流是这样的电流，其镜面反射该无运算放大器的带隙电压发生核心电路的PTAT电流。

13.权利要求9的电压发生电路，其中产生已调整电压的电路包括：

第四MOS晶体管，其耦合到所述未调整电源电压并可用于将电流供给到该已调整电压节点；

第五MOS晶体管，其耦合到所述未调整电源电压，且其栅极连接到其漏极并连接到该第四MOS晶体管的栅极；以及

第六MOS晶体管，其漏极连接到该第五MOS晶体管的漏极且栅极连接到所述第一和第二MOS晶体管的栅极。

14.权利要求13的电压发生电路，其中该第六MOS晶体管的源极连接到该第三MOS晶体管的源极。

15.权利要求9的电压发生电路，其中该无运算放大器的带隙电压发生核心电路还包括负反馈回路和正反馈回路，该负反馈回路和正反馈回路用于使该第一和第二MOS晶体管的源极的电压相等。