[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一半导体基底，包括一第一有源区以及一第二有源区；

一第一硅化结构，形成于该第一有源区，其中该第一硅化结构具有一第一金属浓度；以及

一第二硅化结构，形成于该第二有源区，其中该第二硅化结构具有一第二金属浓度，该第二金属浓度不等于该第一金属浓度。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一硅化结构与该第二硅化结构各包括一晶体管的一晶体管栅极。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一有源区与该第二有源区由一绝缘结构所隔离。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一硅化结构与该第二硅化结构各包括从包含镍、钴、铜、钼、钛、钽、钨、铒、锆、铂、镱、铪、铝、锌以及上述的组合的群组中所挑选出的材料的硅化物。

5.如权利要求1所述的半导体装置，还包括一介电层，形成于该第一硅化结构与该第二硅化结构上。

6.一种半导体装置，包括：

一绝缘区，形成于一基底，其中该绝缘区使一第一有源区与一第二有源区电性隔离；

一第一晶体管，形成于该第一有源区，该第一晶体管包括一第一完全硅化栅极；以及

一第二晶体管，形成于该第二有源区，该第二晶体管包括一第二完全硅化栅极，其中该第二完全硅化栅极的高度不等于该第一完全硅化栅极的高度。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中该第一完全硅化栅极以及该第二完全硅化栅极各包括从包含镍、钴、铜、钼、钛、钽、钨、铒、锆、铂、镱、铪、铝、锌以及上述的组合的群组中所挑选出的材料的硅化物。

8.一种半导体装置，包括：

一基底；

一第一晶体管，具有位于该基底上的一第一完全硅化栅极，该第一完全硅化栅极具有一第一高度；以及

一第二晶体管，具有位于该基底上的一第二完全硅化栅极，该第二完全硅化栅极具有一第二高度，该第一高度与该第二高度的高度比不大于1/2。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其中该第一完全硅化栅极及该第二完全硅化栅极包括镍硅化合物。

10.如权利要求8所述的半导体装置，其中该第一晶体管为一N型场效应晶体管。

11.如权利要求8所述的半导体装置，其中：

该第一晶体管包括：

一第一源极区；

一第一漏极区；

一第一沟道区，位于该第一源极区与该第一漏极区之间；

一第一栅极电介质，位于该第一沟道区上；以及

该第二晶体管包括：

一第二源极区；

一第二漏极区；

一第二沟道区，位于该第二源极区与该第二漏极区之间；

一第二栅极电介质，位于该第二沟道区上。

12.一种半导体装置的制造方法，包括：

提供一半导体基底，该半导体基底包括一第一有源区以及一第二有源区；

在该第一有源区中形成一第一硅化结构，其中该第一硅化结构具有一第一金属浓度；以及

在该第二有源区中形成一第二硅化结构，其中该第二硅化结构具有一第二金属浓度，该第二金属浓度不等于该第一金属浓度。

13.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中该第一硅化结构与该第二硅化结构各包括从包含镍、钴、铜、钼、钛、钽、钨、铒、锆、铂、镱、铪、铝、锌以及上述的组合的群组中所挑选出的材料的硅化物。

14.一种半导体装置的制造方法，包括：

提供一基底，该基底包括一第一有源区与一第二有源区；

在该第一有源区中形成一第一晶体管，其中该第一晶体管包括一第一完全硅化栅极；以及

在该第二有源区中形成一第二晶体管，其中该第二晶体管包括一第二完全硅化栅极，该第二完全硅化栅极的高度不等于该第一完全硅化栅极的高度。

15.如权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其中该第一完全硅化栅极与该第二完全硅化栅极各包括从包含镍、钴、铜、钼、钛、钽、钨、铒、锆、铂、镱、铪、铝、锌以及上述的组合的群组中所挑选出的材料的硅化物。