[发明专利]电子部件、电介质陶瓷组合物及其制造方法

权利要求书

1.电介质陶瓷组合物的制造方法，其是制造含有下述成分的电介质陶瓷组合物的方法，

含有钛酸钡的主成分，

含有R1的氧化物的第4副成分，其中，R1为选自由9配位时的有效离子半径不到108pm的稀土元素构成的第1元素组中的至少一种，和

含有R2的氧化物的第5副成分，其中，R2为选自由9配位时的有效离子半径为108pm～113pm的稀土元素构成的第2元素组中的至少一种，

其具有下述工序：

使上述主成分的原料与将包含在上述电介质陶瓷组合物中的上述第4副成分的原料的一部分和/或上述第5副成分的原料的一部分预先固溶，得到反应过的原料的工序；和

向上述反应过的原料中添加将包含在上述电介质陶瓷组合物中的其余的上述第4副成分和上述第5副成分的原料的工序，

在最终得到的上述电介质陶瓷组合物中，上述第4副成分R1的摩尔数M1相对于上述第5副成分R2的摩尔数M2之比M1/M2满足：

4＜M1/M2≤100，

其中上述电介质陶瓷组合物还含有下述成分：

含有选自MgO、CaO、BaO和SrO中的至少1种的第1副成分、

主要含有SiO₂，并含有选自MO、Li₂O和B₂O₃中的至少1种的第2副成分，其中，M选自Mg、Ca、Ba和Sr中的至少1种，和

含有选自V₂O₅、MoO₃和WO₃中的至少1种的第3副成分，

相对于上述主成分100摩尔，各副成分的比例为：

第1副成分：0.1～5摩尔，

第2副成分：0.1～12摩尔，

第3副成分：0～0.3摩尔，但不包括0。

2.权利要求1所述的电介质陶瓷组合物的制造方法，其中，在最终得到的上述电介质陶瓷组合物中，相对于上述主成分100摩尔，上述第4副成分的含量以R1计为0～10摩尔，但不包括0，

在最终得到的上述电介质陶瓷组合物中，相对于上述主成分100摩尔，上述第5副成分的含量以R2计为0～2摩尔，但不包括0。

3.权利要求1所述的电介质陶瓷组合物的制造方法，其中，相对于上述主成分100摩尔，与上述主成分的原料预先固溶的上述第4副成分和/或上述第5副成分以R1和/或R2计为0～0.5摩尔，但不包括0和0.5。

4.权利要求1所述的电介质陶瓷组合物的制造方法，其中，设构成上述第1元素组的稀土元素的9配位时的有效离子半径为r1，设构成上述第2元素组的稀土元素的9配位时的有效离子半径为r2时，上述第1元素组和上述第2元素组的构成使得r1与r2之比r2/r1满足1.007＜r2/r1＜1.06的关系。

5.权利要求1所述的电介质陶瓷组合物的制造方法，其中，上述R1为选自Y、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少1种。

6.权利要求1所述的电介质陶瓷组合物的制造方法，其中，上述R2为选自Dy、Tb、Gd和Eu中的至少1种。

7.权利要求1所述的电介质陶瓷组合物的制造方法，其中，上述电介质陶瓷组合物还含有第6副成分，该第6副成分含有MnO和/或Cr₂O₃，

相对于上述主成分100摩尔，第6副成分的比例为0.05～1.0摩尔。

8.权利要求1所述的电介质陶瓷组合物的制造方法，其中，作为上述主成分的原料，使用平均粒径为0.05～0.5μm的原料。

9.电介质陶瓷组合物，其是用权利要求1～8中任意一项所述的方法制造的电介质陶瓷组合物。

10.电子部件，其具有由权利要求9所述的电介质陶瓷组合物构成的电介质层。