[发明专利]半导体设备及其清洁单元

说明书

技术领域

本发明是有关于一种清洁单元，特别是有关于一种用于清洁半导体设备的流体供应单元的清洁单元。

背景技术

图1a是显示已知的半导体设备1，包括一旋转盘13、一管路17以及一喷嘴16。该喷嘴16连接该管路17。一晶圆W置于该旋转盘13之上，且该喷嘴16以及该管路17对该晶圆W提供一化学流体。参照图1b，当该化学流体18施加于该晶圆W之上时，该旋转盘13旋转该晶圆W，该晶圆W表面的化学流体18受到离心力而飞溅。飞溅的化学流体18附着于该管路17的表面。参照图1c，随着该化学流体18在该管路17的表面累积，该化学流体(污染物)18会滴在晶圆W之上。且由于累积于管路17表面的化学流体18一般会老化变质或是含有微粒，因此当该化学流体18从管路17的表面滴在晶圆W之上时，会污染该晶圆W。

发明内容

本发明即为了欲解决已知技术的问题而提供的一种半导体设备，用以处理一晶圆，包括一平台、一流体供应单元以及一清洁单元。平台支撑该晶圆。流体供应单元提供一第一流体，其中，该流体供应单元可以于一第一位置以及一第二位置之间移动。清洁单元提供一清洁气体。其中，当该流体供应单元位于该第一位置时，该流体供应单元朝该晶圆提供该第一流体，当该流体供应单元位于该第二位置时，该清洁单元朝该流体供应单元的表面吹送该清洁气体，以清洁该流体供应单元的表面。

本发明所述的半导体设备，其中，该清洁单元包括一腔体，一进气口以及一排气口，该进气口以及该排气口均设于该腔体之中，当该流体供应单元位于该第二位置时，该流体供应单元位于该腔体之中，该清洁气体从该进气口朝该流体供应单元的表面吹送，以清洁该流体供应单元表面，该清洁气体并从该排气口离开该腔体。

本发明所述的半导体设备，其中，该清洁单元更包括一负压管路，连接该排气口。

本发明所述的半导体设备，其中，该腔体包括一入口，该流体供应单元通过该入口而于该第一位置以及该第二位置之间移动。

本发明所述的半导体设备，其中，该排气口设于该腔体的上部。

本发明所述的半导体设备，其中，该清洁单元更包括一排液口以及一排液管，该排液口设于该腔体之中，该排液管连通该排液口。

本发明所述的半导体设备，其中，该排液口设于该腔体的底部。

本发明所述的半导体设备，其中，该排液口为长条形。

本发明所述的半导体设备，其中，该腔体包括一防静电材料。

本发明所述的半导体设备，其中，该清洁单元包括一腔体，多个进气口以及一排气口，所述进气口以及该排气口均设于该腔体之中，当该流体供应单元位于该第二位置时，该流体供应单元位于该腔体之中，该清洁气体从所述进气口朝该流体供应单元的表面吹送，以移除该流体供应单元表面的污染物，该清洁气体并从该排气口离开该腔体。

本发明所述的半导体设备，其中，所述进气口是以矩阵的形式排列于该腔体的底部。

本发明所述的半导体设备，其中，该半导体设备清洁该晶圆。

本发明所述的半导体设备，其中，该半导体设备在该晶圆上涂布一光致抗蚀剂层。

本发明另提供一种清洁单元，用以清洁一半导体设备的一流体供应单元，该清洁单元包括：一腔体；至少一进气口，设于该腔体之中；以及一排气口，设于该腔体之中，其中，当该流体供应单元位于一第二位置时，该流体供应单元位于该腔体之中，一清洁气体从该进气口朝该流体供应单元的表面吹送，以移除该流体供应单元表面的污染物，该清洁气体并从该排气口排出该腔体。

本发明所述的清洁单元，其中，该清洁单元更包括一排液口以及一排液管，该排液口设于该腔体之中，该排液管连通该排液口，该腔体中的污染物是经过该排液口以及该排液管排出于腔体。

本发明周期性的从该流体供应单元的表面移除污染物，借此，可避免晶圆遭受污染，提高产品的良率。

附图说明

图1a是显示已知的半导体设备；

图1b是显示污染物累积于已知半导体设备的表面的情形；

图1c是显示污染物污染晶圆的情形；

图2a是显示本发明的第一实施例，其中一第一管路、一第二管路以及一第三管路位于一第一位置；

图2b是显示本发明的第一实施例，其中第一管路、第二管路以及第三管路位于一第二位置；

图2c是显示一清洁单元清洁该第一管路、第二管路以及第三管路；

图3是显示本发明的第二实施例；

图4是显示本发明的第三实施例；

图5是显示本发明的第四实施例；

图6a是显示本发明的第五实施例，其中一第四管路位于一第一位置；