[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备：

具有一对电极的半导体元件；

具备容纳所述半导体元件的凹部的壳体；

在所述凹部的底面露出的第一引线电极及第二引线电极；

将所述半导体元件小片接合在所述第一引线电极的粘接层；

将所述半导体元件的所述一对电极分别与所述第一引线电极和所述第二引线电极引线接合的导电线，其特征在于，

所述壳体在所述凹部底面具备以将所述第一引线电极的表面分成小片接合区域和引线接合区域的方式横切设置的至少一个壁部，

所述第一引线电极至少在所述壁部的正下方具备将所述第一引线电极的缘部切除而形成的切口部，所述壳体的底部和所述壁部通过所述切口部连接。

2.一种半导体装置，其具备：

具有一对电极的半导体元件；

具备容纳所述半导体元件的凹部的壳体；

在所述凹部的底面露出的第一引线电极及第二引线电极；

将所述半导体元件小片接合在所述第一引线电极的粘接层；

将所述半导体元件的所述一对电极分别与所述第一引线电极和所述第二引线电极引线接合的导电线，其特征在于，

所述壳体在所述凹部底面具备以将所述第一引线电极的表面分成小片接合区域和引线接合区域的方式横切设置的至少一个壁部，

所述第一引线电极至少在所述壁部的正下方具备形成于所述第一引线电极的贯通孔，所述壳体的底部和所述壁部通过所述贯通孔连接。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，在所述第一引线电极的表面还设有槽部，所述槽部位于所述壁部的正下方，所述槽部沿所述壁部延伸，并且所述壁部的底部与所述槽部卡合。

4.一种半导体装置，其具备：

具有一对电极的半导体元件；

具备容纳所述半导体元件的凹部的壳体；

在所述凹部的底面露出的第一引线电极及第二引线电极；

将所述半导体元件小片接合在所述第一引线电极的粘接层；

将所述半导体元件的所述一对电极分别与所述第一引线电极和所述第二引线电极引线接合的导电线，其特征在于，

所述壳体在所述凹部底面具备以将所述第一引线电极的表面分成小片接合区域和引线接合区域的方式横切设置的至少一个壁部，

在所述第一引线电极的表面设有槽部，所述槽部位于所述壁部的正下方，所述槽部沿所述壁部延伸，并且所述壁部的底部与所述槽部卡合。

5.一种半导体装置，其具备：

具有一对电极的半导体元件；

具备容纳所述半导体元件的凹部的壳体；

在所述凹部的底面露出的第一引线电极及第二引线电极；

将所述半导体元件小片接合在所述第一引线电极的粘接层；

将所述半导体元件的所述一对电极分别与所述第一引线电极和所述第二引线电极引线接合的导电线，其特征在于，

所述壳体在所述凹部底面具备以将所述第一引线电极的表面分成小片接合区域和引线接合区域的方式横切设置的至少一个壁部，

在所述第一引线电极的缘部，至少在所述壁部的正下方具备切口部，所述壳体的底部和所述壁部通过所述切口部连接，

在所述第一引线电极的表面设有槽部，所述槽部位于所述壁部的正下方且沿所述壁部延伸，

所述槽部的一端延伸到所述第一引线电极的缘部，与所述切口部连接，

所述槽部的另一端在所述第一引线电极的另一缘部的跟前成为终端，

所述壁部的底部与所述槽部卡合。