[发明专利]测量NAND闪存器件中的通道升压电压的方法

权利要求书

1.一种测量NAND闪存器件中的通道升压电压的方法，所述方法包含：

向已擦除的存储单元之中的未选择单元施加具有恒定电平的传递偏压，并且通过改变向已擦除的存储单元之中的选择单元施加的第一传递偏压来测量所述选择单元的第一阈值电压；

向已擦除的存储单元之中的选择单元施加具有恒定电平的编程偏压，并且通过改变向所述未选择单元施加的第二传递偏压来测量所述选择单元的第二阈值电压；

检测当具有与编程操作中施加的传递偏压相同的电平的所述第二传递偏压被施加时已测量的所述第二阈值电压，并且检测当所述第一阈值电压与所述第二阈值电压相同时已施加的所述第一传递偏压的电平；以及

通过使用所述检测的第一传递偏压的电平来测量所述通道升压电压，

其中，所述通道升压电压等于所述编程偏压减去所检测到的第一传递偏压。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述编程偏压为21V。

3.如权利要求1所述的方法，其中在向已擦除的存储单元之中的未选择单元施加具有恒定电平的传递偏压之前，所述方法进一步包括：

对块中的全部存储单元执行擦除操作；

在执行所述擦除操作之后测量所述存储单元的阈值电压。

4.如权利要求3所述的方法，其中，测量所述第一阈值电压的步骤包括：

向所述未选择单元施加具有恒定电平的所述传递偏压，并且向所述选择单元施加所述第一传递偏压；

测量所述第一阈值电压；以及

增加所述第一传递偏压的电平，

其中，当所述第一传递偏压小于目标电平时，重复所述擦除、所述施加、所述测量以及所述增加的步骤。

5.如权利要求4所述的方法，其中，所述目标电压为14.5V。

6.如权利要求4所述的方法，其中，所述第一传递偏压和所述第二传递偏压被施加30μs到40μs的时间。

7.如权利要求4所述的方法，其中，所述第一传递偏压和所述第二传递偏压在1.5V和14.5V的范围内变化。

8.如权利要求3所述的方法，其中，所述测量所述第一阈值电压的步骤包括：

向所述未选择单元施加具有恒定电平的所述传递偏压，并且向所述选择单元施加所述第一传递偏压；

测量所述第一阈值电压；以及

减小所述第一传递偏压的电平，

其中，在所述第一传递偏压高于目标电平期间，重复地执行所述擦除、所述施加、所述测量以及所述减小的步骤。

9.如权利要求8所述的方法，其中，所述目标电压为1.5V。

10.如权利要求8所述的方法，其中，所述第一传递偏压和所述第二传递偏压被施加30μs到40μs的时间。

11.如权利要求8所述的方法，其中，所述第一传递偏压和所述第二传递偏压在1.5V和14.5V的范围内变化。

12.如权利要求1所述的方法，其中在测量所述选择单元的第一阈值电压之后，并在向已擦除的存储单元之中的选择单元施加具有恒定电平的编程偏压之前，所述方法进一步包括：

对每个存储单元执行擦除操作；

在执行所述擦除操作之后测量所述存储单元的阈值电压。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述测量所述第二阈值电压的步骤包括：

向所述选择单元施加具有恒定电平的所述编程偏压，并且向所述未选择单元施加所述第二传递偏压；

测量所述第二阈值电压；以及

增加所述第二传递偏压的电平，

其中，在所述第二传递偏压小于目标电平期间，重复地执行所述擦除、所述施加、所述测量以及所述增加的步骤。

14.如权利要求13所述的方法，其中，所述目标电压为14.5V。

15.如权利要求14所述的方法，其中，所述第一传递偏压和所述第二传递偏压被施加30μs到40μs的时间。

16.如权利要求13所述的方法，其中，所述第一传递偏压和所述第二传递偏压在1.5V和14.5V的范围内变化。

17.如权利要求13所述的方法，其中，所述编程偏压为21V。