[发明专利]测量NAND闪存器件中的通道升压电压的方法

说明书

相关申请的交叉引用 

本申请要求2006年4月6日提交的韩国专利申请No.2006-31445和2007年3月21日提交的韩国专利申请No.2007-27645的优先权，其内容整体通过引用结合于此。 

技术领域

本发明涉及NAND闪存器件。更具体地，本发明涉及一种测量通道升压电压的方法，所述方法用于估计NAND闪存器件的编程干扰特性。 

背景技术

NAND闪存器件包括多个单元块。 

单元块具有：单元串101和102，其中用于存储数据的多个单元串联连接；漏极选择晶体管110，其连接在单元串101、102和位线BL之间；以及源极选择晶体管120，其连接在单元串101、102和共源极线CSL之间。这里，单元串101和102的数目与位线BL的数目相同。因此，漏极选择晶体管110和源极选择晶体管120中的每一个的数目与单元串101和102的数目相同。 

第一偏压通过字线WL被施加到单元的栅极以便操作单元，并且第二偏压通过位线BL被提供给漏极选择晶体管110的漏极。另外，第三偏压通过共源极线CSL被施加到源极选择晶体管120的源极。 

另一方面，在NAND闪存器件的单元中，其中隧道氧化膜、浮动栅极、介电膜和控制栅极被层压的栅极形成在半导体基片的区域中的给定区域上。另外，接合部形成在半导体基片的第一部分上。这里，该第一部分对应于栅极两侧的较低部分。 

为了编程或擦除单元，上述NAND闪存器件使用FN隧穿在单元的浮动栅极中注入电子，或者使用FN隧穿从浮动栅极排出电子。这里，对块的 单元执行擦除，并且对选择单元执行编程。 

为了对NAND闪存器件中的选择单元M11进行编程，大约18V的编程电压被施加到选择的字线Selected WL，并且大约8V的传递电压(passvoltage)被提供给未被选择的字线PassWL。进一步地，地电压Vss被施加到选择的位线Selected BL，并且电源电压Vcc被施加到未被选择的位线Unselected BL。这里，电源电压Vcc被施加到漏极选择线DSL，并且地电压Vss被提供给源极选择线SSL。此外，电源电压Vcc被施加到共源极线CSL，并且地电压Vss被提供给阱(体)。 

在这种情况下，编程电压被施加到与未被选择的位线Unselected BL相关的单元M14的控制栅极。然而，通道以与编程电压、传递电压以及从位线BL提供的预充电电压之间的耦合相对应的电压速率被升压。 

升压通道具有的电压，亦即通道升压电压，防止了与未被选择的位线Unselected BL相关的单元的FN隧穿，从而防止了编程干扰。 

另一方面，传递电压被施加到的单元可能被编程。这被称为传递干扰。这里，所述单元是与选择的位线Selected BL相关的单元中的一个。 

在图1中，单元M11是将要被编程的单元，单元M12和M13是传递干扰单元，并且单元M14是编程干扰单元。 

对于产品的开发，重要的是保证NAND闪存器件中的编程干扰特性。 

诸如编程电压、传递电压、漏极选择晶体管的阈值电压、泄漏电流GIDL(通道泄漏电流)、通道电容、编程时间、编程NOP的数目等等的因素对编程干扰特性有影响。 

另外，通道升压电压取决于所述因素而被确定。因此，可以在测量了通道升压电压的情况下估计编程干扰特性。 

然而，在常规技术中并不存在测量通道升压电压的方法。这是因为当通道被检查(或探测)以便测量通道升压电压时，它从浮动状态变成接地状态，所以通道升压电压根据转换的状态而改变。 

亦即，由于在连接探针尖以便测量通道升压电压的情况下，通道升压电压通过探针而被放电，所以通道升压电压没有被测量，直到在产品中发现故障位为止。具体地，经验证，只有当在产品中发现故障位时，NAND闪存器件中才存在其中通道升压电压通过一定泄漏电流而被减小的单元。因此，不能及时实现过程的最优化。

所以，现有技术通过仿真来测量通道升压电压，因此难以预测被通道的泄漏电流改变的通道升压电压。 

发明内容