[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括至少一个静态随机存取存储器单元，该静态随机存取存储器单元至少具有第一栅极导体，该第一栅极导体位于在源极区域和漏极区域之间的沟道区域上方，其中所述第一栅极导体由包括保护性电介质材料的电介质帽盖所覆盖，其中所述源极和漏极区域由非保护性电介质材料所覆盖，该非保护性电介质材料可以相对于所述保护性材料而被选择性地去除，其中所述第一栅极导体不具有位于其上方的栅极接触，并且其中所述源极和漏极区域中的至少一个区域具有位于其上方的源极或漏极接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述保护性电介质材料选自包括氮化硅、氧氮化硅、碳化硅、碳氮化硅和碳氧化硅的组中。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述保护性电介质材料包括氮化硅，并且所述半导体器件进一步包括沿着所述第一栅极导体的侧壁的一个或多个氮化硅隔离层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述保护性电介质材料包括碳化硅，并且所述半导体器件进一步包括沿着所述第一栅极导体的侧壁的一个或多个碳化硅隔离层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一栅极导体包括栅极硅化物层。

6.一种半导体器件，包括至少一个静态随机存取存储器单元，该静态随机存取存储器单元至少具有第一栅极导体和第二栅极导体，该第一栅极导体位于在源极区域和漏极区域之间的沟道区域上方，并且该第二栅极导体位于所述静态随机存取存储器单元的任何有源区域之外，其中所述第一栅极导体由包括保护性电介质材料的电介质帽盖所覆盖，其中所述第二栅极导体以及所述源极和漏极区域由非保护性电介质材料所覆盖，该非保护性电介质材料可以相对于所述保护性材料而被选择性地去除，其中所述第一栅极导体不具有位于其上方的栅极接触，其中所述第二栅极导体具有位于其上方的栅极接触，并且其中所述源极和漏极区域中的至少一个区域具有位于其上方的源极或漏极接触。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述保护性电介质材料选自包括氮化硅、氧氮化硅、碳化硅、碳氮化硅和碳氧化硅的组中。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述保护性电介质材料包括氮化硅，并且所述半导体器件进一步包括沿着所述第一和第二栅极导体的侧壁的一个或多个氮化硅隔离层。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述保护性电介质材料包括碳化硅，并且所述半导体器件进一步包括沿着所述第一和第二栅极导体的侧壁的一个或多个碳化硅隔离层。

10.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

形成至少一个静态随机存取存储器单元，该静态随机存取存储器单元至少具有第一和第二栅极导体，其中所述第一栅极导体位于在源极区域和漏极区域之间的沟道区域上方，并且其中所述第二栅极导体位于所述静态随机存取存储器单元的任何有源区域之外；

在所述第一栅极导体上方选择性地形成电介质帽盖，其中所述电介质帽盖包括保护性电介质材料；

在所述至少一个静态随机存取存储器单元上方淀积一个或多个非保护性材料层，其中所述一个或多个非保护性材料层包括非保护性电介质材料，该非保护性电介质材料可以相对于所述保护性电介质材料而被选择性地去除；

选择性地去除所述一个或多个非保护性材料层的部分，以形成栅极接触开口以及源极或漏极接触开口，该栅极接触开口穿过所述一个或多个非保护性材料层延伸到所述第二栅极导体的上表面上，该源极或漏极接触开口穿过所述一个或多个非保护性材料层延伸到所述源极或漏极区域的上表面上，其中在所述非保护性材料的选择性去除期间所述电介质帽盖保护所述第一栅极导体，并且防止所述源极或漏极接触开口延伸到所述第一栅极导体上；以及

用导电材料填充所述栅极接触开口以及所述源极或漏极接触开口，由此形成位于所述第二栅极导体上方的栅极接触和位于所述源极或漏极区域紧上方的源极或漏极接触，其中在所述第一栅极导体上方没有栅极接触。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述保护性电介质材料选自包括氮化硅、氧氮化硅、碳化硅、碳氮化硅和碳氧化硅的组中。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述保护性电介质材料包括氮化硅，并且其中通过一个或多个氮化硅侧壁隔离层保护所述第一和第二栅极导体二者的侧壁。