[发明专利]等离子体显示面板

权利要求书

1.一种等离子体显示面板(PDP)包括：

介电层；以及

形成在所述介电层上的保护层；所述保护层包括氧化镁(MgO)、第一掺杂物和第二掺杂物；所述第一掺杂物包括钙(Ca)、铝(Al)和硅(Si)，所述第二掺杂物选自由铁(Fe)、锆(Zr)和它们的组合构成的组，以及

基于MgO的含量，所述Ca含量的质量为100到300ppm。

2.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，基于所述氧化镁的质量，所包括的钙含量的质量约为160ppm到约为180ppm。

3.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，基于所述氧化镁的质量，包括在所述保护层中的硅含量的质量约为40ppm到约为150ppm。

4.如权利要求3所述的等离子体显示面板，其特征在于，基于所述氧化镁的质量，所包括的硅含量的质量约为100ppm到约为120ppm。

5.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，所述第二掺杂物包括铁，并且基于所述氧化镁的质量，包括在所述保护层中的铝含量的质量约为150ppm到约为250ppm。

6.如权利要求5所述的等离子体显示面板，其特征在于，基于所述氧化镁的质量，所包括的铝含量的质量约为190ppm到约为210ppm。

7.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，所述第二掺杂物包括铁，并且基于所述氧化镁的质量，包括在所述保护层中的铁含量的质量约为10ppm到约为40ppm。

8.如权利要求7所述的等离子体显示面板，其特征在于，基于所述氧化镁的质量，所包括的铁含量的质量约为20ppm到约为30ppm。

9.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，所述第二掺杂物包括锆，并且基于所述氧化镁的质量，包括在所述保护层中的铝含量的质量约为150ppm到约为170ppm。

10.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，所述第二掺杂物包括锆，以及基于所述氧化镁的质量，包括在所述保护层中的锆含量的质量约为40ppm到约为100ppm。

11.如权利要求10所述的等离子体显示面板，其特征在于，基于所述氧化镁的质量，所包括的锆含量的质量约为50ppm到约为80ppm。

12.一种等离子体显示面板(PDP)包括：

形成在第二基板的内表面上并覆盖显示电极的介电层；以及

形成在所述介电层上的保护层；所述保护层包括氧化镁(MgO)、钙(Ca)、铝(Al)、硅(Si)和锆(Zr)。

13.如权利要求12所述的等离子体显示面板，其特征在于，基于所述氧化镁的质量，包括在所述保护层中的钙含量的质量约为100ppm到约为300ppm。

14.如权利要求13所述的等离子体显示面板，其特征在于，基于所述氧化镁的质量，所包括的钙含量的质量约为160ppm到约为180ppm。

15.如权利要求12所述的等离子体显示面板，其特征在于，基于所述氧化镁的质量，包括在所述保护层中的硅含量的质量约为40ppm到约为150ppm。

16.如权利要求15所述的等离子体显示面板，其特征在于，基于所述氧化镁的质量，所包括的硅含量的质量约为100ppm到约为120ppm。

17.如权利要求12所述的等离子体显示面板，其特征在于，基于所述氧化镁的质量，包括在所述保护层中的铝含量的质量约为150ppm到约为250ppm。

18.如权利要求17所述的等离子体显示面板，其特征在于，基于所述氧化镁的质量，所包括的铝含量的质量约为150ppm到约为170ppm。

19.如权利要求12所述的等离子体显示面板，其特征在于，基于所述氧化镁的质量，包括在所述保护层中的锆含量的质量约为40ppm到约为100ppm。

20.如权利要求19所述的等离子体显示面板，其特征在于，基于所述氧化镁的质量，所包括的锆含量的质量约为50ppm到约为80ppm。