[发明专利]等离子体显示面板无效
申请号: | 200710091704.4 | 申请日: | 2007-03-29 |
公开(公告)号: | CN101165840A | 公开(公告)日: | 2008-04-23 |
发明(设计)人: | 金基东 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01J17/49 | 分类号: | H01J17/49;H01J17/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 臧霁晨;梁永 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 显示 面板 | ||
技术领域
本发明涉及等离子体显示面板(PDP)。尤其,本发明涉及包括包含掺杂物元素的保护层的等离子体显示面板。通过使用作为保护层的掺杂了掺杂物的经烧结的材料,减少了保护层的温度依赖性,并且得到了高的响应速度。保护层的改进特性提高了PDP的放电稳定性。
背景技术
等离子体显示面板(PDP)是通过用真空紫外线(VUV)激励荧光体而显示图像的一种显示设备,所述真空紫外线是通过放电单元中的气体放电而产生的。随着PDP能够制成具有高分辨率的宽屏幕,注意力已经集中在作为下一代平板显示器的PDP上。
等离子体显示面板一般具有3电极表面放电型结构。在3电极表面放电型结构中,等离子体显示面板包括实质上相互平行放置的前基板和后基板。在前基板上,设置了每个都包括两个电极的显示电极。在前基板上设置了介电层以覆盖显示电极。在后基板上设置了寻址电极。由阻隔肋(barrier rib)分开前基板和后基板之间的空间以形成充满放电气体的多个放电单元。此外,在后基板上设置荧光体层。
为了经济性的原因,一般通过印刷过程来形成电极、阻隔肋和介电层。然而,当通过印刷过程形成时,介电层变厚,因此这种层的质量要比通过薄膜形成过程形成的层差。
在等离子体显示面板的工作期间,离子溅射以及还有放电产生的电子会损坏介电层和形成在介电层下面的电极。因此,存在交流电PDP使用寿命缩短的问题。
在减少放电期间离子轰击导致损坏的尝试中,在介电层上放置薄到仅为几百纳米(nm)厚的保护层。通常,用氧化镁(MgO)来形成PDP的保护层。MgO保护层可以通过降低放电电压和通过保护介电层不受离子溅射伤害而延长交流电(AC)型PDP的使用寿命。
然而,因为保护层的特性随薄膜形成条件而变化,所以保护层造成难于得到均匀的显示质量。保护层可以引起由寻址放电延迟(即,丢失了一次寻址放电)导致的黑噪声,这种现象发生在所选中要发光的单元没有发光的情况中。在某些区域中发生黑噪声。具体地,倾向地发生在发光区域和非发光区域之间的界面中。当不存在寻址放电时或当产生强度较低的扫描放电时会产生黑噪声。
此外,MgO保护层直接接触放电气体,因此构成保护层的成分的特性和保护层的薄膜形成的特性大大地影响PDP的放电特性。MgO保护层的特性取决于组分成分和诸如沉积等薄膜形成条件。因此,需要在最优化组成成分方面进行研究以提高PDP的显示质量。
由单晶MgO或通过烧结方法制备的MgO来构成保护层材料。与单晶材料相比,经烧结的材料具有高响应速度的优点。但是,它存在温度依赖性的问题,即,它的响应时间根据环境温度而变化,因此使放电可靠性和驱动稳定性大大地变差。为了这个原因,经烧结的材料不适宜作为大批量生产的材料。
相反地,单晶材料具有低的温度依赖性。然而,它的响应速度低,因此导致由单个扫描来驱动PDP,从而在高分辨率PDP中不能用单晶材料。
发明内容
本发明的一个目标是提供一种等离子体显示面板,这种等离子体显示面板由于降低了放电特性的温度依赖性和增加了响应速度而提高了放电稳定性,结果提高了显示质量,这是通过在等离子体显示面板的氧化镁(MgO)薄膜保护层中添加掺杂物元素而达到的。
本发明的另一个目标是提供一种等离子体显示面板,这种等离子体显示面板通过具体地确定掺杂在MgO薄膜保护层中的掺杂物元素和掺杂物元素的量来防止黑噪声和提高显示质量。
根据本发明的一个实施例,提供了一种等离子体显示面板(PDP),它包括第一基板、形成在第一基板内表面上的寻址电极、与第一基板隔开并面对第一基板的第二基板、形成在第二基板内表面上的显示电极、形成在第二基板内表面上并覆盖显示电极的介电层、以及形成在介电层上的保护层。
保护层包括氧化镁(MgO)和掺杂物元素。掺杂物元素包括第一掺杂物元素和第二掺杂物元素。第一掺杂物元素包括钙(Ca)、铝(Al),和硅(Si),而从包括铁(Fe)、锆(Zr)和它们的组合的组中选择第二掺杂物元素。基于MgO的质量,第一掺杂物元素中Ca含量的质量为100ppm到300ppm。
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