[发明专利]校正外延反应腔温度的方法

权利要求书

1.一种校正外延反应腔温度的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、同时在一批次的硅片上淀积同步掺杂的多晶硅层或非晶硅层，并分别测量每个硅片上多晶硅层或非晶硅层的掺杂量和厚度；

步骤二、在多晶硅层或非晶硅层上淀积低温等离子体氧化层；

步骤三、用等温差的多个温度点，分别对淀积等离子体氧化层后的硅片在外延反应腔中进行退火处理；

步骤四、去除经退火处理后的硅片表面的等离子体氧化层；

步骤五、测量退火处理后多晶硅层或非晶硅层的方块电阻，并结合多晶硅层或非晶硅层的厚度计算出电阻率；

步骤六、将不同退火温度下得到的多晶硅层或非晶硅层的电阻率和参考电阻率对比，并运用如下公式：实际偏差温度＝(退火温度的平均温度差/两个连续的退火温度下所述多晶硅或非晶硅的电阻率差)×当前测得的电阻率与相同温度下参考电阻率的差值，计算出实际偏差温度，以确定校正温度；

步骤七、在校正温度后，使用步骤一中同一批次制备的没经退火处理的硅片，使用所述校正温度在外延反应腔中进行退火，按上述步骤四至步骤六的流程来检验校正后的温度。

2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：所述硅片在淀积多晶硅层或非晶硅层之前，淀积有氧化硅层。

3.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：所述多晶硅层或非晶硅层的厚度为

4.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤一中对所述多晶硅层或非晶硅层进行掺杂的掺杂原子为硼、磷和砷中的任一种。

5.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤一中对所述多晶硅层或非晶硅层进行掺杂的掺杂量为1×10¹⁸～3×10²⁰个原子每立方厘米。