[发明专利]金属层电路版图形预修正的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种光学临近修正方法。

背景技术

在先进光刻工艺中，因曝光图形尺寸的缩小，须对光掩模图形进行预先的光学临近修正，来弥补由光学系统的有限分辨率造成的光学临近效应。之前的大尺寸工艺中，直接按照电路设计版图文件决定的电路版图形制作光掩膜图形。而在尺寸缩小后，通常采用电路设计版图文件作为光学临近修正软件的输入文件，对由该电路设计版图文件决定的电路版图形(见图1，其中外轮廓为金属层图形，有填充图案的方块区域为引线孔层图形)进行光学临近修正，通过光学模型仿真对图形进行修正，得到光掩模图形(见图2)。但受光学系统有限分辨率的限制，和光学系统高阶光学信号的丢失，使光掩膜图形中的二维图形，即相邻的修正片断不在同一直线上，构成角的图形(可分为内角和外角，内角即拐点朝向图形内部，外角即拐点朝向图形外部)，无法通过光学临近修正在光刻工艺后得到和电路版图形完全相同的图形，而一维图形是可以的。如果原有电路版图形中金属层和引线孔层交迭空间不足，光刻工艺后金属层中二维图形处的引线孔会有部分露出而不能被金属层完全覆盖(见图3)，使得最终的金属层与孔线层的接触面积变小，从而影响电路性能。

现有技术中，有采用把引线孔的电路版图形放大，再与金属层的电路版图形做或的布尔运算，得到的图形作为新的金属层电路版图形的方法(见图4)，来解决光刻后金属层和引线孔层交迭空间不足的问题。但是，这种方法不光对金属层电路版图形中的二维图形进行扩大，也会使原来的一维图形改变成二维图形，故这样对原有版图设计改变较多，会增加修正片断的数量和二维图形的数量(见图5)，从而影响光学临近修正的收敛速度，增加了运行时间。同时，这种方法修正后得到了光掩模二维图形大量增加，也会增加光掩模版的制作时间和制作难度。

发明内容

本发明要解决的技术问题是金属层电路版图形的预修正方法，其通过放大金属层电路版图形中的二维图形，增加用光学临近修正后的掩膜版进行光刻后的金属层与引线孔层之间二维交迭空间。

为解决上述技术问题，本发明的金属层电路版图形的预修正方法，该金属层电路版图形中包括一维图形和二维图形，在用光学临近修正软件对金属层电路版图形作常规的光学临近修正步骤之前，将所述的金属层电路版图形中的二维图形放大。

本发明的方法，在不改变金属层电路版图形的一维图形的基础上，只对边缘上有引线孔层图形的二维图形进行放大，这样可尽量小的改变原有版图设计，不增加修正片断的数量和二维图形的数量，也未影响光学临近修正的时间，使光刻后的金属层与引线孔层之间二维交迭空间变大。同时，一维图形的交迭空间如需增大，可用规则式光学修正方法进行放大，放大量可自由调整。而在原有的引线孔放大的方法中，一维图形的放大量必须与二维图形的放大量相同。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1为金属层电路版图形的一实例；

图2为图1的图形经常规光学临近修正后的金属层光掩膜图形；

图3为使用图2所述的制备光掩膜图形的光刻模拟；

图4为常规引线孔放大后的金属层电路版图形；

图5为用图4的图形经常规光学临近修正后的光掩膜图形光刻模拟；

图6为本发明的方法处理后的金属层电路版图形；

图7为图6中的图形经光刻临近修正后的光掩膜图形光刻模拟。

具体实施方式

本发明的金属层电路版图形预修正的方法，用于光学临近修正软件对金属层电路版图形作常规的光学临近修正步骤之前，该金属层电路版图形中包括一维图形和二维图形，通过将其中的二维图形放大处理(见图6)，以增加实际光刻后金属层和引线孔层的交迭空间(见图7)。

将金属层电路版图中的二维图形预放大可通过以下操作：将与金属层相邻的引线孔层的电路版图形信息输入光学临近修正软件中进行匹配，使金属层电路版图形和引线孔层电路版图形进行叠加，通过光学临近修正软件确定的金属层电路版图形中的二维图形的目标修正片断(该目标修正片断是所有光学临近修正软件根据相关光学原理设定的)，向叠加后的电路版图形内部垂直搜索一定距离，可用d表示(d＜50nm)，如在此距离内找到所述引线孔层电路版图形，则将目标修正片断由原来的位置垂直向图形外部移动一定距离，可用t表示(t＜50nm)，如未找到所述引线孔层电路版图形则不移动所述修正片断，从而完成金属层电路版图形中的二维图形的放大。

上述的方法中，还可以用规则式光学修正方法对金属层电路版图形中的一维图形进行放大，即将整个图形向外部移动一定距离，可用a表示，这里a一般要小于上述二维图形向外部移动的距离t。