[发明专利]一种提高压焊点耐腐蚀性的方法无效
| 申请号： | 200710094133.X | 申请日： | 2007-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101409242A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 徐俊杰;王乐平 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 压焊点耐 腐蚀性 方法 | ||
1.一种提高压焊点耐腐蚀性的方法，其特征是：该方法将刻蚀出压焊点的硅片，先去除刻蚀残留物，再钝化压焊点表面的化学活性。
2.根据权利要求1所述的提高压焊点耐腐蚀性的方法，其特征是：所述钝化压焊点表面的化学活性包括使用紫外线照射压焊点，使压焊点表面生成耐腐蚀的氧化层。
3.根据权利要求2所述的提高压焊点耐腐蚀性的方法，其特征是：所述使用紫外线照射压焊点的时间为90至150秒。
4.根据权利要求2或3所述的提高压焊点耐腐蚀性的方法，其特征是：所述使用紫外线照射压焊点的优选时间为120秒。
5.根据权利要求2所述的提高压焊点耐腐蚀性的方法，其特征是：所述钝化压焊点表面的化学活性是采用汞灯照射压焊点，所述汞灯的光谱包括整个紫外线区间。
6.根据权利要求1所述的提高压焊点耐腐蚀性的方法，其特征是：该方法将硅片放置在加热设备周围或内部，同时钝化压焊点表面的化学活性。
7.根据权利要求6所述的提高压焊点耐腐蚀性的方法，其特征是：所述加热设备包括加热板，所述加热板周围包括一个或多个垫片，硅片放置在垫片上，不与加热板直接接触。
8.根据权利要求7所述的提高压焊点耐腐蚀性的方法，其特征是：所述加热板通过电热丝加热，并向周围散发热量。
9.根据权利要求1所述的提高压焊点耐腐蚀性的方法，其特征是：所述压焊点的成分包括铝、硅、铜中的一种或多种所构成的合金。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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