[发明专利]一种提高压焊点耐腐蚀性的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体制造工艺，特别是涉及一种提高压焊点耐腐蚀性的方法。

背景技术

请参阅图1，这是现有集成电路的制造工艺对压焊点的处理方法。首先在硅片上刻蚀出压焊点，然后对压焊点的刻蚀残留物进行处理(通常是去除这些刻蚀残留物)，然后就直接进行硅片的减薄划片。在划片时通常采用机械划片设备，同时采用水作为划片时的冲洗剂，为防止划片过程中产生静电，在水中掺有二氧化碳等气体。当硅片上芯片数量较多，或者划片设备的速度较慢，都会导致划片时间较长。当划片时间超过15分钟时，水中的二氧化碳等气体就会与硅片上的压焊点发生化学反应，从而导致各个压焊点出现不同程度的腐蚀，影响芯片后续封装的成品率和可靠性。

有鉴于此，本案发明人乃经详思细索，累积多年的设计经验，经多方探讨并试作样品试验，及多次修正改良，终而开发出一种在集成电路制造工艺中提高压焊点耐腐蚀性的方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种提高压焊点耐腐蚀性的方法。

为解决上述技术问题，本发明提高压焊点耐腐蚀性的方法将刻蚀出压焊点的硅片，先去除刻蚀残留物，再钝化压焊点表面的化学活性。

所述钝化压焊点表面的化学活性包括使用紫外线照射压焊点，使压焊点表面生成耐腐蚀的氧化层。

所述使用紫外线照射压焊点的时间为90至150秒。

所述使用紫外线照射压焊点的优选时间为120秒。

所述钝化压焊点表面的化学活性是采用汞灯照射压焊点，所述汞灯的光谱包括整个紫外线区间。

作为本发明的进一步改进，该方法将硅片放置在加热设备周围或内部，同时钝化压焊点表面的化学活性。

所述加热设备包括加热板，所述加热板周围包括一个或多个垫片，硅片放置在垫片上，不与加热板直接接触。

所述加热板通过电热丝加热，并向周围散发热量。

所述压焊点的成分包括铝、硅、铜中的一种或多种所构成的合金。

本发明通过钝化压焊点表面的化学活性实现提高压焊点的耐腐蚀性，还可以通过提高钝化时的温度加速实现，对设备要求简单，作业时间短，改善效果显著。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明：

图1是传统的对压焊点的处理方法流程图；

图2是本发明提高压焊点耐腐蚀性的方法流程图；

图3是本发明提高压焊点耐腐蚀性的方法的实施示意图。

图中附图标记为：10-硅片；11-硅片正面；12-硅片背面；13-压焊点；20-汞灯；30-加热板；31-垫片。

具体实施方式

请参阅图2，这是本发明对压焊点的处理方法。首先在硅片上刻蚀出压焊点，然后去除刻蚀压焊点所残留的刻蚀残留物，接着钝化压焊点表面的化学活性，最后再进行硅片的划片。

压焊点的成分包括铝、硅、铜中的一种，或者铝、硅、铜的多种所构成的合金。钝化压焊点表面的化学活性包括使用紫外线照射压焊点，通过紫外线的照射促使压焊点表面生成氧化层，生成的氧化层的化学活性较低，不易与水中的诸如二氧化碳等的杂质发生化学反应。这样，通过钝化压焊点表面的化学活性，就可以提高压焊点的耐腐蚀性，实际上是在压焊点表面生成了一层具有较好耐腐蚀性的氧化层。

为了加快钝化压焊点表面的化学活性的过程，也就是加快压焊点表面生成氧化层的过程，还可以提高压焊点表面在生成氧化层的过程中的温度。例如，将硅片放置在加热设备周围或者加热设备内部，通过加热设备的热量提升压焊点的温度，从而加快压焊点表面生成氧化层的过程。

请参阅图3，这是本发明的一个实施例的示意图。其中，硅片10包括硅片正面11和硅片背面12。硅片正面11上包括一个或多个刻蚀出的压焊点13。汞灯20发出的紫外线照射硅片正面11上的压焊点13，使压焊点13表面生成具有较好耐腐蚀性的氧化层。硅片背面12放置在一个或多个垫片31上，垫片31分布在加热板30周围，这样加热板30散发的热量接触到硅片背面12，从而提高硅片10上的压焊点13的温度，可以减少压焊点13生成氧化层的时间。

发明人经由图3所示的实施例进行试验，发现可以显著提高压焊点的耐腐蚀性。紫外线照射压焊点的时间可以是90秒、100秒、110秒、120秒、130秒、140秒或150秒，经过反复试验发现紫外线照射压焊点的优选时间为120秒。通过本发明所述方法使用汞灯发射的紫外线照射120秒后的压焊点，经过30分钟的划片，也未出现压焊点腐蚀现象；而未通过本发明所述方法处理的压焊点，经过15分钟的划片，就出现了压焊点腐蚀现象。由此本发明通过简单的设备与工序，即实现了较佳的实施效果，实乃对当今集成电路生产工艺的一大改进。