[发明专利]SONOS存储管的器件结构及其制作方法无效
| 申请号： | 200710094270.3 | 申请日： | 2007-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN101442076A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 孙亚亚 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sonos 存储 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种SONOS存储管的器件结构，其特征在于，在衬底中部上设置有栅氧化层，所述栅氧化层上方设置有选择管，所述栅氧化层和选择管的两侧分别设置有缺口向外的“L”形ONO层，所述ONO层的缺口位置设置有存储管，在所述两个存储管和ONO层的外侧的衬底上，一侧设置源极，另一侧设置漏极。
2.根据权利要求1所述的SONOS存储管的器件结构，其特征在于，所述ONO层包括两层二氧化硅层和夹在所述两层二氧化硅层之间的氮化硅层，所述下层二氧化硅层的厚度为15～25，所述中间的氮化硅层的厚度为60～120，所述上层二氧化硅层的厚度为40～80。
3.一种如权利要求1或2所述的SONOS存储管器件结构的制作方法，其特征在于，依次包括如下步骤：
(1)采用常规的CMOS器件制作工艺，通过光刻和刻蚀形成所述选择管；
(2)淀积ONO层，之后在所述ONO层上生长多晶硅；
(3)通过侧墙刻蚀去除所述选择管以上的ONO层和多晶硅，并形成存储管，留出源极和漏极的位置；
(4)在步骤(3)中留出的位置进行源极和漏极注入；
(5)采用常规CMOS器件制作工艺完成器件制作的其它步骤。
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