[发明专利]半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 200710094282.6 | 申请日： | 2007-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101447431A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;周晓君 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在已形成有P型阱区、屏蔽氧化层、栅极和栅极侧墙的硅片上，通过屏蔽氧化层进行源漏离子注入；
(2)进行源漏热退火；
(3)在所述硅片上淀积一层碳化硅；
(4)采用低压化学气相沉积的方法，在所述碳化硅上再淀积一层二氧化硅。
2、根据权利要求1所述半导体器件制造方法，其特征在于，在所述步骤(3)中，所淀积的碳化硅的厚度为400～600埃。
3、根据权利要求2所述半导体器件制造方法，其特征在于，在所述步骤(3)中，所淀积的碳化硅的厚度为500埃。
4、根据权利要求1至3中任一项所述半导体器件制造方法，其特征在于，在所述步骤(2)中，热退火的温度为1010℃～1025℃，退火时间为10～25秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
