[发明专利]实现HALL芯片硅片级测试的探针卡及测试方法有效
| 申请号： | 200710094361.7 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101452009A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 武建宏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R1/073 | 分类号： | G01R1/073;G01R1/18;G01R31/00;G01R31/28;G01R33/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 实现 hall 芯片 硅片 测试 探针 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种实现HALL芯片硅片级测试的探针卡，探针卡包括多个探针，所述探针卡的间隙板在上定位板和下定位板之间保证了探针的容置空间，下定位板与一弹簧连接，该弹簧通过螺钉固定在衬盘，该衬盘通过螺钉穿设定位块固定在一块PCB板上，PCB板上还有加强块防止探针卡的受力形变；其特征在于，还包括一个HALL传感器，所述HALL传感器连接在两个所述探针的探测端上。
2.如权利要求1所述的一种实现HALL芯片硅片级测试的探针卡，其特征在于，所述HALL传感器连接在的两个探针长度小于其他探针。
3.一种实现HALL芯片硅片级测试的测试方法；其特征在于，包括如下步骤：
(1)将探针卡置于磁场M1下，测量探针卡的HALL传感器中的感应电流I1；所述探针卡包括多个探针，还包括一个HALL传感器，所述HALL传感器连接在两个所述探针的探测端上；
(2)将探针卡置于实际测量环境中，测量探针卡的HALL传感器在实际磁场M2下的感应电流I2；
(3)测量被测HALL芯片上的HALL传感器在实际磁场M2下的感应电流I3；
(4)根据公式I1∶I2＝M1∶M2＝ΔI∶I3，计算出磁场M1下的感应电流ΔI作为补正值，写入被测HALL芯片中。
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