[发明专利]提高自对准接触孔击穿电压的方法和多晶硅栅极结构

权利要求书

1.一种提高自对准接触孔击穿电压的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在硅衬底上的氧化层上依次淀积多晶硅、氧化膜和硬质掩膜层；第二步，在涂布光刻胶和光刻之后，从上往下依次刻蚀硬质掩膜层、氧化膜层和多晶硅，形成多晶硅栅极，并对多晶硅顶部顶角进行圆化，且是在采用等离子蚀刻工艺打开硬质掩膜层和氧化膜层后，利用等离子体对氧化膜层进行侧向侵蚀、或者利用化学湿法刻蚀方法对氧化膜层进行侧向侵蚀实现对所述多晶硅顶部顶角进行圆化；第三步，在多晶硅栅极的侧面生长氧化膜层；第四步，生长侧墙；第五步，在生长层间介质膜、对所述层间介质膜进行化学机械研磨并进行接触孔光刻之后，刻蚀自对准接触孔。

2.根据权利要求1所述的提高自对准接触孔击穿电压的方法，其特征在于，第一步中淀积的氧化膜层厚度在80埃至400埃之间。

3.根据权利要求1所述的提高自对准接触孔击穿电压的方法，其特征在于，第一步中采用高温氧化膜工艺或者化学气相淀积氧化膜工艺形成氧化膜。