[发明专利]光学近距修正、光掩模版制作及图形化方法

权利要求书

1.一种光学近距修正方法，其特征在于，包括：

在相邻布局电路图形之间形成至少一个平行于布局电路图形的布局辅助图 形，所述布局辅助图形的临界尺寸与布局电路图形一致，其中在布局电路 图形间形成布局辅助图形的区域为器件半密集区及器件孤立区；

调整布局辅助图形的光强值，使光强值大于光强阈值，所述光强阈值为将 布局电路图形转移至晶圆上所需的最小光强值；

确定后续将布局辅助图形转移至光掩模版上光介质层的厚度，所述厚度对 应于光强值，所述光介质层厚度与光强值的关系式为 其中I为光强值，E₁为光透过 光介质层后的电矢量，E₀为光进入光介质层前的电矢量，k为光介质层的 消光系数，n为光介质层的折射率，λ为波长，d为光介质层厚度，θ₁为光 的折射角度。

2.一种光掩模版制作方法，其特征在于，包括：

在相邻布局电路图形之间形成至少一个平行于布局电路图形的布局辅助图 形，所述布局辅助图形的临界尺寸与布局电路图形一致，其中在布局电路 图形间形成布局辅助图形的区域为器件半密集区及器件孤立区；

调整布局辅助图形的光强值，使光强值大于光强阈值，所述光强阈值为将 布局电路图形转移至晶圆上所需的最小光强值；

将布局电路图形转移至光掩模版上，形成不透光的掩模版电路图形后，在 光掩膜版上形成光介质层，所述光介质层厚度由光强值确定，所述光介质 层厚度与光强值的关系式为其 中I为光强值，E₁为光透过光介质层后的电矢量，E₀为光进入光介质层前 的电矢量，k为光介质层的消光系数，n为光介质层的折射率，λ为波长， d为光介质层厚度，θ₁为光的折射角度；

将布局辅助图形转移至光介质层上，形成掩模版辅助图形。

3.根据权利要求2所述光掩模版制作方法，其特征在于，所述光介质层的材 料为SU8胶。

4.一种图形化方法，其特征在于，包括：

在相邻布局电路图形之间形成至少一个平行于布局电路图形的布局辅助图 形，所述布局辅助图形的临界尺寸与布局电路图形一致，其中在布局电路 图形间形成布局辅助图形的区域为器件半密集区及器件孤立区；

调整布局辅助图形的光强值，使光强值大于光强阈值，所述光强阈值为将 布局电路图形转移至晶圆上所需的最小光强值；

将布局电路图形转移至光掩模版上，形成不透光的掩模版电路图形后，在 光掩膜版上形成光介质层，所述光介质层厚度由光强值确定，所述光介质 层厚度与光强值的关系式为其 中I为光强值，E₁为光透过光介质层后的电矢量，E₀为光进入光介质层前 的电矢量，k为光介质层的消光系数，n为光介质层的折射率，λ为波长， d为光介质层厚度，θ₁为光的折射角度；

将布局辅助图形转移至光介质层上，形成掩模版辅助图形；

将掩模版布局电路图形转移至晶圆上，形成电路图形。

5.根据权利要求4所述图形化方法，其特征在于，所述光介质层的材料为SU8 胶。