[发明专利]再分布金属层及再分布凸点的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种再分布金属层及再分布凸点的制作方法。

背景技术

晶片级封装(Wafer Level Chip Scale Package，WLCSP)是一种可以使集成电路(IC)面向下贴装到印刷电路板上的CSP封装技术，晶片的焊点通过独立的锡球焊接到印刷电路板的焊盘上，不需要任何填充材料。这种技术的第一个优点是集成电路到印刷电路板之间的电感很小，第二个优点是缩小了封装尺寸和生产周期并提高了热传导性能。

在集成电路晶片尺寸逐步缩小，集成度不断提高的情况下，电子工业对集成电路封装技术提出了越来越高的要求，凸点的尺寸不仅越做越小，而且分布也越来越密集。申请号为03140656的中国专利申请文件提供了一种微细间距倒装焊凸点电镀制备技术，能够满足焊球边间距50μm以上，焊球直径在50μm至300μm的要求，但是，在晶片级封装中，连接点的分布更加密集，因此，需要对用于形成凸点的连接点进行再分布，避免过多的凸点互相接触导致凸点之间短路。所谓的凸点再分布就是将晶片上做好的需要形成连接点的开口重新进行分布，转移至晶片的其它位置，并形成凸点，以实现凸点的合理分布。

现有技术中凸点制作之前的结构参考附图1所示，晶片10在进入凸点制作工艺之前，晶片10上已经完成钝化层11和焊盘12的形成工艺，其中，钝化层11形成有开口，焊盘12位于钝化层11的开口处，凸点就形成在焊盘12之上。为了将连接点进行再分布，需要将连接点下的焊盘以及钝化层的开口进行再分布，将进行再分布的焊盘和钝化层以及钝化层开口称为再分布结构。

参考附图2所示，在焊盘12以及钝化层11上形成第一绝缘层13，所述第一绝缘层13的材料为苯并环丁烯树脂(Benzocyclobutene，BCB)，之后，在所述第一绝缘层13上形成第二开口16，第二开口16的位置与焊盘12的位置相对应。

参考附图3所示，在第一绝缘层13上以及第二开口16内形成再分布金属层14，所述再分布金属层14为铜，再分布金属层14要求完全覆盖第二开口16并在第一绝缘层13上延伸至再分布凸点的位置。

参考附图4所示，在再分布金属层14以及第一绝缘层13上形成第二绝缘层15，所述第二绝缘层15的材料为苯并环丁烯树脂，之后，在第二绝缘层15上形成第三开口17，第三开口17的位置即为需要形成再分布凸点的位置；然后，用等离子体蚀刻法去除第三开口17内再分布金属层14上的第二绝缘层15的残渣，所用气体为氧气和四氟化碳。最后，按照现有技术，在第三开口17以及第二绝缘层15上形成凸点下金属层(Under-Bump Metallurgy；UBM)，并沉积凸点焊料，回流焊料形成凸点。

现有技术在用气体去除金属层上的第二绝缘层残渣时，由于气体中包含四氟化碳，其中氟离子吸附在钝化层表面，会与金属层的材料铜发生反应，使金属层表面产生缺陷，影响后续凸点的制作，进而使凸点电性能及可靠性降低。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种再分布金属层及再分布凸点的制作方法，防止氟离子和再分布金属层反应。

为解决上述问题，本发明提供一种再分布金属层的制作方法，包括：提供表面具有钝化层的晶片，钝化层具有第一开口，焊盘位于第一开口内，所述钝化层及焊盘上形成有带露出焊盘的第二开口的第一绝缘层；在第一绝缘层上及第二开口内形成再分布金属层；在再分布金属层表面形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成与第二开口错开分布的第三开口，曝露出再分布金属层；通入气体，去除第三开口内的第二绝缘层残渣，所述气体不与再分布金属层反应。

可选的，所述气体为氧气、四氟化碳和氢气组合。所述氧气的流量为300sccm～500sccm，四氟化碳的流量为80sccm～120sccm，氢气的流量为700sccm～900sccm。

可选的，所述气体为氧气、四氟化碳、氢气和氮气组合。所述氧气的流量为300sccm～500sccm，四氟化碳的流量为80sccm～120sccm，氢气和氮气混合的流量为700sccm～900sccm。

可选的，所述第二绝缘层的材料为苯并环丁烯。形成第二绝缘层的工艺为涂层工艺。

可选的，形成再分布金属层的方法为电镀法。所述金属层的材料为铜。