[发明专利]栅极形成方法

权利要求书

1.一种栅极形成方法，其特征在于，包括：

在半导体基底上形成多晶硅层；

对所述多晶硅层执行掺杂操作；

在经历掺杂后的多晶硅层上形成钝化层及图形化的抗蚀剂层，所述钝化层包括氮化硅、碳化硅和碳氮化硅中的一种或其组合；

以所述图形化的抗蚀剂层为掩膜，利用氢氟酸溶液图形化所述钝化层，以避免采用热磷酸溶液图形化钝化层时，热磷酸易消耗多晶硅层中的掺杂材料，造成靠近已图形化的钝化层的多晶硅层的成分区别于靠近未图形化的钝化层的多晶硅层的成分，从而导致栅极顶部尺寸小于底部尺寸；

以图形化的所述钝化层为掩膜，图形化经历掺杂后的多晶硅层，以形成栅极。

2.根据权利要求1所述的栅极形成方法，其特征在于：形成所述钝化层时，反应压力范围为5～10毫米汞柱。

3.根据权利要求1所述的栅极形成方法，其特征在于：形成所述钝化层时，反应功率范围为30～80瓦。

4.根据权利要求1所述的栅极形成方法，其特征在于：形成所述钝化层时，反应温度范围为350～450摄氏度。

5.根据权利要求1所述的栅极形成方法，其特征在于：形成所述钝化层时，涉及的反应气体包含硅烷，所述硅烷的流量范围为15～40sccm。

6.根据权利要求1所述的栅极形成方法，其特征在于：形成所述钝化层时，涉及的反应气体包含氨气，所述氨气的的流量范围为30～80sccm。

7.根据权利要求1所述的栅极形成方法，其特征在于：形成所述钝化层时，以氮气作为缓冲气体，所述氮气的流量范围为15000～25000sccm。

8.根据权利要求1所述的栅极形成方法，其特征在于：所述氢氟酸溶液百分比浓度小于或等于2％。

9.一种栅极形成方法，其特征在于，包括：

在半导体基底上形成多晶硅层；

对所述多晶硅层执行掺杂操作；

在经历掺杂后的多晶硅层上形成钝化层及图形化的抗蚀剂层，所述钝化层包括氮化硅、碳化硅和碳氮化硅中的一种或其组合；

以所述图形化的抗蚀剂层为掩膜，利用等离子体或热磷酸图形化部分所述钝化层；

利用氢氟酸溶液完成所述钝化层的图形化操作，以避免采用热磷酸溶液图形化钝化层时，热磷酸易消耗多晶硅层中的掺杂材料，造成靠近已图形化的钝化层的多晶硅层的成分区别于靠近未图形化的钝化层的多晶硅层的成分，从而导致栅极顶部尺寸小于底部尺寸；

以图形化的所述钝化层为掩膜，图形化经历掺杂后的多晶硅层，以形成栅极。

10.根据权利要求9所述的栅极形成方法，其特征在于：形成所述钝化层时，反应压力范围为5～10毫米汞柱。

11.根据权利要求9所述的栅极形成方法，其特征在于：形成所述钝化层时，反应功率范围为30～80瓦。

12.根据权利要求9所述的栅极形成方法，其特征在于：形成所述钝化层时，反应温度范围为350～450摄氏度。

13.根据权利要求9所述的栅极形成方法，其特征在于：形成所述钝化层时，涉及的反应气体包含硅烷，所述硅烷的流量范围为15～40sccm。

14.根据权利要求9所述的栅极形成方法，其特征在于：形成所述钝化层时，涉及的反应气体包含氨气，所述氨气的的流量范围为30～80sccm。

15.根据权利要求9所述的栅极形成方法，其特征在于：形成所述钝化层时，以氮气作为缓冲气体，所述氮气的流量范围为15000～25000sccm。

16.根据权利要求9所述的栅极形成方法，其特征在于：所述氢氟酸溶液百分比浓度小于或等于2％。