[发明专利]PMOS晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 200710094530.7 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101459083A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 李家豪 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | pmos 晶体管 及其 形成 方法 | ||
1.一种PMOS晶体管的形成方法，包括如下步骤：
在半导体衬底上依次形成栅介质层与栅极，所述栅介质层与栅极构成栅极结构；
在栅极结构两侧形成偏移侧墙；
以偏移侧墙为掩模，在半导体衬底内进行锑预非晶化注入，形成锑预非晶化注入区；
以偏移侧墙为掩模，进行P型离子注入，在半导体衬底内形成注入深度大于锑非晶化注入区的源/漏延伸区；
形成包围栅极结构和偏移侧墙的间隙壁；
以间隙壁为掩模，在半导体衬底内形成源/漏极。
2.根据权利要求1所述PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，锑预非晶化注入的能量范围为5KeV至30KeV。
3.根据权利要求1所述PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，锑预非晶化注入的剂量范围为3E+14cm-2至1E+15cm-2。
4.根据权利要求1所述PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，所述P型离子为B或者BF2。
5.根据权利要求4所述PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，B或者BF2注入的能量范围为1KeV至5KeV，注入的剂量范围为1E+14cm-2至1E+15cm-2。
6.一种PMOS晶体管，包括：位于半导体衬底上的栅极结构；位于栅极结构两侧的偏移侧墙；位于偏移侧墙两侧的间隙壁；位于栅极结构两侧、半导体衬底中的源/漏延伸区以及源/漏极，其特征在于，还包括位于栅极结构两侧、半导体衬底中的锑预非晶化注入区，所述锑预非晶化注入区的深度界于半导体衬底表面与源/漏延伸区之间。
7.根据权利要求6所述PMOS晶体管，其特征在于，形成锑预非晶化注入区的工艺为以偏移侧墙为掩模，在半导体衬底内进行锑预非晶化注入。
8.根据权利要求7所述PMOS晶体管，其特征在于，锑预非晶化注入的能量范围为5KeV至30KeV，注入的剂量范围为3E+14cm-2至1E+15cm-2。
9.根据权利要求6所述PMOS晶体管，其特征在于，源/漏延伸区的掺杂离子为B或者BF2。
10.根据权利要求9所述PMOS晶体管，其特征在于，B或者BF2注入的能量范围为1KeV至5KeV，注入的剂量范围为1E+14cm-2至1E+15cm-2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
